8P34S1102NLGI是一款高性能差分LVDS扇出緩沖器。該器件設(shè)計用于1PPS信號或高頻、極低加性相位噪聲時鐘和數(shù)據(jù)信號的扇出。8P34S1102NLGI支持故障安全操作,采用1.8V或2.5V電源供電。保證輸出到輸出和器件到器件偏斜特性使得該緩沖器非常適合要求明確性能和可重復(fù)性的時鐘分配應(yīng)用。提供一路差分輸入和兩路低偏斜輸出。8P34S1102NLGI針對低功耗和低加性相位噪聲進行了優(yōu)化。
性能參數(shù)
類型:扇出緩沖器(分配)
電路數(shù):1
比率 - 輸入:輸出:1:2
差分 - 輸入:輸出:是/是
輸入:CML,LVDS
輸出:LVDS
頻率 - 最大值:1.2 GHz
電壓 - 供電:1.71V ~ 1.89V
工作溫度:-40°C ~ 85°C
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:16-VFQFN
8P34S1102NLGI時鐘緩沖器主要用于信號分配和時鐘分布,支持低噪聲、低功耗設(shè)計。
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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TP65H100G4LSGB
TP65H100G4LSGB是 Renesas 推出的650V SuperGaN GaN FET ,采用 Gen IV 技術(shù)平臺,結(jié)合高電壓 GaN HEMT 與低電壓 硅MOSFET ,具備優(yōu)異可靠性及性能。產(chǎn)品屬性FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):18.9A(Tc)驅(qū)動…TP65H100G4PS
TP65H100G4PS是 Renesas 推出的650V GaN FET (氮化鎵場效應(yīng)晶體管),采用 Gen IV SuperGaN平臺技術(shù),具有高可靠性、低損耗特性。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):18.9A(Tc)驅(qū)動電壓(最大 Rds On…TP65H035G4YS
TP65H035G4YS 是 Renesas 推出的SuperGaN FET器件,采用 TO-247-4L封裝 ,導(dǎo)通電阻為35mΩ,具備開爾文源極端子設(shè)計。TP65H035G4YS器件結(jié)合了最先進的高壓 GaN HEMT 和低壓硅 MOSFET 技術(shù),可提供卓越的可靠性和性能。TP65H035G4YS 具有以下主要特性:第四代技術(shù)符合 JED…TP65H035G4WSQA
TP65H035G4WSQA 650V 35mΩ 氮化鎵 (GaN) FET 是使用Renesas的 GenIV 平臺構(gòu)建的常閉器件。使用專有技術(shù),從而降低了內(nèi)部封裝電感并簡化了組裝過程。它將最先進的高壓 GaN HEMT 與低壓硅 MOSFET 相結(jié)合,以提供卓越的可靠性和性能。此外,TP65H035G4WSQA還通過了 175C …TP65H070G4RS
TP65H070G4RS 是 Renesas 推出的第四代 SuperGaN 技術(shù)FET器件,采用 TOLT封裝 (頂部散熱型表面貼裝),適用于需要高效熱管理和高可靠性的場景。其主要規(guī)格如下:FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):29A(Tc)驅(qū)…TP65H070G4PS
TP65H070G4PS是一款650V、70mΩ的氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管(FET),采用TO-220封裝,由(Renesas)生產(chǎn)。該器件具有低導(dǎo)通電阻和優(yōu)異開關(guān)性能,適用于高效率電源轉(zhuǎn)換場景。核心參數(shù)FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極…電話咨詢:86-755-83294757
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