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TP65H100G4PS是 Renesas 推出的650V GaN FET （氮化鎵場效應(yīng)晶體管），采用 Gen IV SuperGaN平臺技術(shù)，具有高可靠性、低損耗特性。

主要規(guī)格

FET 類型：N 通道

技術(shù)：GaNFET（氮化鎵）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：18.9A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：110 毫歐 @ 12A，10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：4.1V @ 1.8mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：14.4 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：818 pF @ 400 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：65.8W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝：TO-220-3

技術(shù)優(yōu)勢

TP65H100G4PS采用 GaN HEMT 與 硅MOSFET 復(fù)合結(jié)構(gòu)，結(jié)合高電壓GaN材料與低電壓硅技術(shù)，提升效率并降低功耗。該器件適用于高功率場景，如電源管理、工業(yè)驅(qū)動等。 ?

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