商品名稱:時(shí)鐘緩沖器
品牌:Renesas
年份:25+
封裝:32-VFQFPN
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
8T73S208B-01NLGI是一款高性能差分LVPECL時(shí)鐘分頻器和扇出緩沖器。該器件設(shè)計(jì)用于高頻、低相位噪聲時(shí)鐘的分頻和信號(hào)扇出。以下是其核心特性:
一個(gè)差分輸入?yún)⒖紩r(shí)鐘
差分對(duì)可以接受以下差分輸入電平:LVDS、LVPECL、CML
集成輸入端接電阻
8路LVPECL輸出
可選時(shí)鐘分頻為1、2、4和8
最大輸入時(shí)鐘頻率:1GHz
控制輸入的LVCMOS接口電平
通過(guò)I2C接口啟用/禁用獨(dú)立輸出
上電狀態(tài):所有輸出禁用
輸出偏斜:60ps(最大值)
輸出上升/下降時(shí)間:350ps(最大值)
低加性相位抖動(dòng),均方根:182fs(典型值)
全2.5V和3.3V電源電壓
無(wú)鉛(RoHS 6) 32引腳VFQFN封裝
工作溫度環(huán)境為-40°C至85°C
8T73S208B-01NLGI的特點(diǎn)是采用2.5V和3.3V電源供電。保證輸出到輸出和器件到器件偏斜特性使8T73S208B-01非常適合要求明確性能和可重復(fù)性的時(shí)鐘分配應(yīng)用。集成的輸入端接電阻簡(jiǎn)化了與基準(zhǔn)源的接口,并減少了無(wú)源元件數(shù)量。在高阻抗?fàn)顟B(tài)下,各路輸出可以由I2C寄存器單獨(dú)使能或禁用。上電時(shí),所有輸出均禁用。
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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瑞薩科技是世界十大半導(dǎo)體芯片供應(yīng)商之一,在很多諸如移動(dòng)通信、汽車電子和PC/AV 等領(lǐng)域獲得了全球最高市場(chǎng)份額。瑞薩科技在2003年4月1日正式成立,以領(lǐng)先的科技實(shí)現(xiàn)人類的夢(mèng)想。結(jié)合了日立與三菱電機(jī)在半導(dǎo)體領(lǐng)域上的豐富經(jīng)驗(yàn)和專業(yè)知識(shí),配合全球二萬(wàn)七千名員工的無(wú)限創(chuàng)…
TP65H100G4LSGB
TP65H100G4LSGB是 Renesas 推出的650V SuperGaN GaN FET ,采用 Gen IV 技術(shù)平臺(tái),結(jié)合高電壓 GaN HEMT 與低電壓 硅MOSFET ,具備優(yōu)異可靠性及性能。產(chǎn)品屬性FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):18.9A(Tc)驅(qū)動(dòng)…TP65H100G4PS
TP65H100G4PS是 Renesas 推出的650V GaN FET (氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管),采用 Gen IV SuperGaN平臺(tái)技術(shù),具有高可靠性、低損耗特性。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):18.9A(Tc)驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On…TP65H035G4YS
TP65H035G4YS 是 Renesas 推出的SuperGaN FET器件,采用 TO-247-4L封裝 ,導(dǎo)通電阻為35mΩ,具備開爾文源極端子設(shè)計(jì)。TP65H035G4YS器件結(jié)合了最先進(jìn)的高壓 GaN HEMT 和低壓硅 MOSFET 技術(shù),可提供卓越的可靠性和性能。TP65H035G4YS 具有以下主要特性:第四代技術(shù)符合 JED…TP65H035G4WSQA
TP65H035G4WSQA 650V 35mΩ 氮化鎵 (GaN) FET 是使用Renesas的 GenIV 平臺(tái)構(gòu)建的常閉器件。使用專有技術(shù),從而降低了內(nèi)部封裝電感并簡(jiǎn)化了組裝過(guò)程。它將最先進(jìn)的高壓 GaN HEMT 與低壓硅 MOSFET 相結(jié)合,以提供卓越的可靠性和性能。此外,TP65H035G4WSQA還通過(guò)了 175C …TP65H070G4RS
TP65H070G4RS 是 Renesas 推出的第四代 SuperGaN 技術(shù)FET器件,采用 TOLT封裝 (頂部散熱型表面貼裝),適用于需要高效熱管理和高可靠性的場(chǎng)景。其主要規(guī)格如下:FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):29A(Tc)驅(qū)…TP65H070G4PS
TP65H070G4PS是一款650V、70mΩ的氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET),采用TO-220封裝,由(Renesas)生產(chǎn)。該器件具有低導(dǎo)通電阻和優(yōu)異開關(guān)性能,適用于高效率電源轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。核心參數(shù)FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極…電話咨詢:86-755-83294757
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