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TP65H070G4PS是一款650V、70mΩ的氮化鎵（GaN）場效應晶體管（FET），采用TO-220封裝，由（Renesas）生產。該器件具有低導通電阻和優(yōu)異開關性能，適用于高效率電源轉換場景。

核心參數

FET 類型：N 通道

技術：GaNFET（氮化鎵）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：29A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：85 毫歐 @ 18A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.7V @ 700μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：9 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：638 pF @ 400 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：96W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝：TO-220-3

相比傳統(tǒng)硅基FET，TP65H070G4PS具備更低的柵極電荷、交叉損耗和反向恢復電荷，可提升電源效率并優(yōu)化電磁兼容性。

應用領域

數據通信

博大實業(yè)

光伏逆變器

伺服電機

計算

消費領域

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