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TP65H035G4WSQA 650V 35mΩ 氮化鎵 （GaN） FET 是使用Renesas的 GenIV 平臺構(gòu)建的常閉器件。使用專有技術(shù)，從而降低了內(nèi)部封裝電感并簡化了組裝過程。它將最先進的高壓 GaN HEMT 與低壓硅 MOSFET 相結(jié)合，以提供卓越的可靠性和性能。此外，TP65H035G4WSQA還通過了 175°C 的汽車級測試，并通過了針對汽車級分立半導體的 AEC-Q101 壓力測試。

技術(shù)規(guī)格

FET 類型：N 通道

技術(shù)：GaNFET（氮化鎵）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：47.2A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：41 毫歐 @ 30A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.8V @ 1mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：22 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1500 pF @ 400 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：187W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

等級：汽車級

資質(zhì)：AEC-Q101

安裝類型：通孔

封裝：TO-247-3

典型應用

TP65H035G4WSQA適用于汽車電子、光伏逆變器、工業(yè)功率模塊及高壓直流轉(zhuǎn)換器等場景。

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