商品名稱:時(shí)鐘緩沖器
品牌:Renesas
年份:25+
封裝:VFQFPN-32
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
8P391208NLGI是(Renesas)推出的具有通用差分輸出的低附加抖動(dòng) 2:8 緩沖器,旨在獲取一個(gè)或兩個(gè)參考時(shí)鐘,使用引腳選擇在它們之間進(jìn)行選擇,并產(chǎn)生最多8個(gè)與參考頻率相同的輸出。8P391208NLGI支持兩個(gè)輸出組,每個(gè)輸出組都有自己的電源。一個(gè)存儲(chǔ)體中的所有輸出將產(chǎn)生相同的輸出頻率,并且每個(gè)存儲(chǔ)體可以單獨(dú)控制輸出類型或輸出使能。
主要特征
兩路差分輸入支持LVPECL、LVDS、HCSL或LVCMOS參考時(shí)鐘
接受1PPS (1Hz)至700MHz范圍內(nèi)的輸入頻率(在3.3V下配置為HCSL輸出模式時(shí)最高可達(dá)1GHz)
通過引腳選擇,選擇兩個(gè)輸入時(shí)鐘中的哪一個(gè)用作哪個(gè)存儲(chǔ)體的參考時(shí)鐘
產(chǎn)生8路差分輸出
差分輸出可選擇LVPECL、LVDS、CML或HCSL
CML模式支持兩種不同的電壓擺幅
差分輸出支持1PPS至700MHz的頻率(在3.3V下配置為HCSL輸出模式時(shí)最高可達(dá)1GHz)
輸出排列成2組,每組4個(gè)輸出
每組支持3.3V、2.5V或1.8V的獨(dú)立電源
由3電平輸入引腳控制
輸入多路復(fù)用選擇控制引腳
對(duì)于所有內(nèi)核電壓,控制輸入的容差為3.3V
156.25MHz時(shí)的輸出噪底為-153dBc/Hz
3.3V、2.5V或1.8V的核心電源電壓
-40°C至+85°C環(huán)境工作溫度
無鉛(RoHS 6)封裝
8P391208NLGI的典型應(yīng)用領(lǐng)域
服務(wù)器/存儲(chǔ)系統(tǒng):高精度時(shí)鐘分配。
工業(yè)與通信設(shè)備:FPGA、ASIC的時(shí)序管理。
醫(yī)療電子:低抖動(dòng)要求的信號(hào)處理系統(tǒng)。
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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瑞薩科技是世界十大半導(dǎo)體芯片供應(yīng)商之一,在很多諸如移動(dòng)通信、汽車電子和PC/AV 等領(lǐng)域獲得了全球最高市場(chǎng)份額。瑞薩科技在2003年4月1日正式成立,以領(lǐng)先的科技實(shí)現(xiàn)人類的夢(mèng)想。結(jié)合了日立與三菱電機(jī)在半導(dǎo)體領(lǐng)域上的豐富經(jīng)驗(yàn)和專業(yè)知識(shí),配合全球二萬七千名員工的無限創(chuàng)…
TP65H100G4LSGB
TP65H100G4LSGB是 Renesas 推出的650V SuperGaN GaN FET ,采用 Gen IV 技術(shù)平臺(tái),結(jié)合高電壓 GaN HEMT 與低電壓 硅MOSFET ,具備優(yōu)異可靠性及性能。產(chǎn)品屬性FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):18.9A(Tc)驅(qū)動(dòng)…TP65H100G4PS
TP65H100G4PS是 Renesas 推出的650V GaN FET (氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管),采用 Gen IV SuperGaN平臺(tái)技術(shù),具有高可靠性、低損耗特性。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):18.9A(Tc)驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On…TP65H035G4YS
TP65H035G4YS 是 Renesas 推出的SuperGaN FET器件,采用 TO-247-4L封裝 ,導(dǎo)通電阻為35mΩ,具備開爾文源極端子設(shè)計(jì)。TP65H035G4YS器件結(jié)合了最先進(jìn)的高壓 GaN HEMT 和低壓硅 MOSFET 技術(shù),可提供卓越的可靠性和性能。TP65H035G4YS 具有以下主要特性:第四代技術(shù)符合 JED…TP65H035G4WSQA
TP65H035G4WSQA 650V 35mΩ 氮化鎵 (GaN) FET 是使用Renesas的 GenIV 平臺(tái)構(gòu)建的常閉器件。使用專有技術(shù),從而降低了內(nèi)部封裝電感并簡(jiǎn)化了組裝過程。它將最先進(jìn)的高壓 GaN HEMT 與低壓硅 MOSFET 相結(jié)合,以提供卓越的可靠性和性能。此外,TP65H035G4WSQA還通過了 175C …TP65H070G4RS
TP65H070G4RS 是 Renesas 推出的第四代 SuperGaN 技術(shù)FET器件,采用 TOLT封裝 (頂部散熱型表面貼裝),適用于需要高效熱管理和高可靠性的場(chǎng)景。其主要規(guī)格如下:FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):29A(Tc)驅(qū)…TP65H070G4PS
TP65H070G4PS是一款650V、70mΩ的氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET),采用TO-220封裝,由(Renesas)生產(chǎn)。該器件具有低導(dǎo)通電阻和優(yōu)異開關(guān)性能,適用于高效率電源轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。核心參數(shù)FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極…電話咨詢:86-755-83294757
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