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TP65H070G4RS 是 Renesas 推出的第四代 SuperGaN 技術FET器件，采用 TOLT封裝 （頂部散熱型表面貼裝），適用于需要高效熱管理和高可靠性的場景。其主要規(guī)格如下：

FET 類型：N 通道

技術：GaNFET（氮化鎵）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：29A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：85 毫歐 @ 18A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.8V @ 700μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：9 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：638 pF @ 400 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：96W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：TOLT

此外，TP65H070G4RS結合 硅MOSFET 與 氮化鎵HEMT 技術，通過降低柵極電荷、輸出電容和交叉損耗提升效率。

應用領域

TP65H070G4RS適用于數(shù)據(jù)通信、工業(yè)控制、光伏逆變器、計算等領域，尤其適合對熱管理要求嚴格的系統(tǒng)設計。

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