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TP65H050G4WS是 Renesas公司推出的 SuperGaN 系列 氮化鎵 （GaN）FET，采用通孔N通道結(jié)構(gòu)，適用于高功率場景。該器件將最先進的高壓 GaN HEMT 與低壓硅 MOSFET 相結(jié)合，以提供卓越的可靠性和性能。

基礎(chǔ)參數(shù)

FET 類型：N 通道

技術(shù)：GaNFET（氮化鎵）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：34A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：60 毫歐 @ 22A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.8V @ 700μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：24 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1000 pF @ 400 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：119W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝：TO-247-3

此外，TP65H050G4WS通過 JEDEC 認證，具備寬電壓安全裕度與抗瞬態(tài)過壓能力。其設(shè)計符合 RoHS 3 標準，TP65H050G4WS 采用行業(yè)標準的 3 引腳 TO-247 封裝，具有通用源極封裝配置。

目標應(yīng)用

數(shù)據(jù)通信

博大實業(yè)

光伏逆變器

伺服電機

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