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TP65H050G4YS是一款650V SuperGaN FET，采用 TO-247-4L封裝 ，導通電阻為50mΩ，具備開爾文源極端子設計。具體參數(shù)如下：

FET 類型：N 通道

技術：GaNFET（氮化鎵）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：35A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：60 毫歐 @ 22A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.8V @ 700μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：24 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1000 pF @ 400 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：132W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝：TO-247-4L

此外，TP65H050G4YS在50kHz開關頻率下，比同等級硅基器件損耗降低約15%；100kHz時降低27%，它采用硅基氮化鎵技術，兼顧高壓與高效率。

應用場景

TP65H050G4YS適用于數(shù)據(jù)中心、可再生能源及工業(yè)領域的高功率電源設計，包括：

數(shù)據(jù)通信

博大實業(yè)

光伏逆變器

伺服電機

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