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TP65H150BG4JSG 是 Renesas公司生產(chǎn)的一款650V SuperGaN GaN FET，采用 PQFN56封裝 ，具備低導(dǎo)通電阻（150mΩ）和動態(tài)RDS(on)特性。TP65H150BG4JSG基于 Gen IV技術(shù)平臺 ，結(jié)合高壓GaN HEMT 與 低壓硅MOSFET ，具備高效率、低交越損耗和低反向恢復(fù)電荷（QRR）等優(yōu)勢。

技術(shù)規(guī)格

FET 類型：N 通道

技術(shù)：GaNFET（氮化鎵）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：16A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：180 毫歐 @ 10A，6V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 500μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：4.9 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：400 pF @ 400 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：83W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：8-PQFN（5x6）

此外，TP65H150BG4JSG目標(biāo)應(yīng)用場景包括消費領(lǐng)域、電源適配器、低功耗 SMPS和照明系統(tǒng)等。

• 1.平臺上看到的庫存、價格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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  答：我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。

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  答：可以通過網(wǎng)站上詢價，也可以通過電話以及郵箱咨詢。

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