商品名稱:時(shí)鐘發(fā)生器
品牌:Renesas
年份:25+
封裝:24-VFQFPN
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
9FGU0231AKLF是(Renesas)1.5V超低功耗PCIe時(shí)鐘系列的一員。該器件具有2個(gè)時(shí)鐘管理輸出使能、2個(gè)不同的擴(kuò)頻電平和2個(gè)可選SMBus地址。以下是其核心參數(shù):
PLL:是
主要用途:PCI Express(PCIe)
輸入:LVDS,晶體
輸出:LP-HCSL,LVCMOS
電路數(shù):1
比率 - 輸入:輸出:1:3
差分 - 輸入:輸出:無(wú)/是
頻率 - 最大值:100MHz
電壓 - 供電:1.425V ~ 1.575V
工作溫度:0°C ~ 70°C
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:24-VFQFN
應(yīng)用場(chǎng)景
9FGU0231AKLF時(shí)鐘發(fā)生器適用于需要低功耗時(shí)鐘方案的PCIe設(shè)備,如服務(wù)器、存儲(chǔ)和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備?。
9FGU0231AKLF還具有以下特點(diǎn)
低壓HCSL輸出;與標(biāo)準(zhǔn)PCIe設(shè)備相比,節(jié)省4個(gè)電阻
典型功耗為23 mW減少熱量問(wèn)題
OE#引腳;支持DIF電源管理
各輸出的可編程壓擺率;允許調(diào)諧各種線路長(zhǎng)度
可編程輸出幅度;允許針對(duì)各種應(yīng)用環(huán)境進(jìn)行調(diào)整
DIF輸出被阻止,直到PLL被鎖定;清潔系統(tǒng)啟動(dòng)
DIF輸出可選擇0%、-0.25%或-0.5%的范圍;降低電磁干擾
外部25 MHz晶振;支持緊密ppm,合成誤差為0 ppm
配置可以用捆扎銷來(lái)完成;設(shè)備控制不需要SMBus接口
3.3 V兼容SMBus接口支持傳統(tǒng)控制器
節(jié)省空間的4x4 mm 24引腳VFQFPN最小的電路板空間
可選的SMBus地址;多個(gè)設(shè)備可以輕松共享一個(gè)SMBus網(wǎng)段
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
瑞薩科技是世界十大半導(dǎo)體芯片供應(yīng)商之一,在很多諸如移動(dòng)通信、汽車電子和PC/AV 等領(lǐng)域獲得了全球最高市場(chǎng)份額。瑞薩科技在2003年4月1日正式成立,以領(lǐng)先的科技實(shí)現(xiàn)人類的夢(mèng)想。結(jié)合了日立與三菱電機(jī)在半導(dǎo)體領(lǐng)域上的豐富經(jīng)驗(yàn)和專業(yè)知識(shí),配合全球二萬(wàn)七千名員工的無(wú)限創(chuàng)…
TP65H100G4LSGB
TP65H100G4LSGB是 Renesas 推出的650V SuperGaN GaN FET ,采用 Gen IV 技術(shù)平臺(tái),結(jié)合高電壓 GaN HEMT 與低電壓 硅MOSFET ,具備優(yōu)異可靠性及性能。產(chǎn)品屬性FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):18.9A(Tc)驅(qū)動(dòng)…TP65H100G4PS
TP65H100G4PS是 Renesas 推出的650V GaN FET (氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管),采用 Gen IV SuperGaN平臺(tái)技術(shù),具有高可靠性、低損耗特性。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):18.9A(Tc)驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On…TP65H035G4YS
TP65H035G4YS 是 Renesas 推出的SuperGaN FET器件,采用 TO-247-4L封裝 ,導(dǎo)通電阻為35mΩ,具備開爾文源極端子設(shè)計(jì)。TP65H035G4YS器件結(jié)合了最先進(jìn)的高壓 GaN HEMT 和低壓硅 MOSFET 技術(shù),可提供卓越的可靠性和性能。TP65H035G4YS 具有以下主要特性:第四代技術(shù)符合 JED…TP65H035G4WSQA
TP65H035G4WSQA 650V 35mΩ 氮化鎵 (GaN) FET 是使用Renesas的 GenIV 平臺(tái)構(gòu)建的常閉器件。使用專有技術(shù),從而降低了內(nèi)部封裝電感并簡(jiǎn)化了組裝過(guò)程。它將最先進(jìn)的高壓 GaN HEMT 與低壓硅 MOSFET 相結(jié)合,以提供卓越的可靠性和性能。此外,TP65H035G4WSQA還通過(guò)了 175C …TP65H070G4RS
TP65H070G4RS 是 Renesas 推出的第四代 SuperGaN 技術(shù)FET器件,采用 TOLT封裝 (頂部散熱型表面貼裝),適用于需要高效熱管理和高可靠性的場(chǎng)景。其主要規(guī)格如下:FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):29A(Tc)驅(qū)…TP65H070G4PS
TP65H070G4PS是一款650V、70mΩ的氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET),采用TO-220封裝,由(Renesas)生產(chǎn)。該器件具有低導(dǎo)通電阻和優(yōu)異開關(guān)性能,適用于高效率電源轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。核心參數(shù)FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極…電話咨詢:86-755-83294757
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