商品名稱:時鐘發(fā)生器
品牌:Renesas
年份:25+
封裝:28-LGA
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
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9FGL6241AQ301LTGI是(Renesas)推出的智能緩沖器/時鐘發(fā)生器,專為單端口和雙端口nVME固態(tài)硬盤設(shè)計。該器件具有以下核心特性:
自動檢測輸入時鐘是否存在
低壓HCSL輸出上的集成終端節(jié)省了8個電阻
SRnS (IR)或CC架構(gòu)的201、301配置
默認為0% SSC
SRIS (IR)或CC架構(gòu)的202,302種配置
默認為-0.5% SSC
SMBus可選-0.25% SSC
選擇25MHz或33 1/3MHz參考時鐘
REF時鐘輸出;保存外部XO
2.5V至3.3V工作電壓(VDDREF為1.8V)
帶外部晶振的4×4mm 28 VQFP N封裝
4 × 4 mm 28-LGA封裝,帶可選內(nèi)部晶振
此外,9FGL6241AQ301LTGI支持通用(CC)和獨立參考(IR)時鐘架構(gòu),非常適合U.2和M.2外形。該器件還可用于PCIe主/從和時鐘多路復(fù)用應(yīng)用,內(nèi)置時鐘發(fā)生器作為第三輸入通道。
應(yīng)用領(lǐng)域
9FGL6241AQ301LTGI適用于1×4或2×2 NVMe SSD、PCIe主/從設(shè)備時鐘復(fù)用以及時鐘分頻應(yīng)用。
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
瑞薩科技是世界十大半導(dǎo)體芯片供應(yīng)商之一,在很多諸如移動通信、汽車電子和PC/AV 等領(lǐng)域獲得了全球最高市場份額。瑞薩科技在2003年4月1日正式成立,以領(lǐng)先的科技實現(xiàn)人類的夢想。結(jié)合了日立與三菱電機在半導(dǎo)體領(lǐng)域上的豐富經(jīng)驗和專業(yè)知識,配合全球二萬七千名員工的無限創(chuàng)…
TP65H100G4LSGB
TP65H100G4LSGB是 Renesas 推出的650V SuperGaN GaN FET ,采用 Gen IV 技術(shù)平臺,結(jié)合高電壓 GaN HEMT 與低電壓 硅MOSFET ,具備優(yōu)異可靠性及性能。產(chǎn)品屬性FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):18.9A(Tc)驅(qū)動…TP65H100G4PS
TP65H100G4PS是 Renesas 推出的650V GaN FET (氮化鎵場效應(yīng)晶體管),采用 Gen IV SuperGaN平臺技術(shù),具有高可靠性、低損耗特性。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):18.9A(Tc)驅(qū)動電壓(最大 Rds On…TP65H035G4YS
TP65H035G4YS 是 Renesas 推出的SuperGaN FET器件,采用 TO-247-4L封裝 ,導(dǎo)通電阻為35mΩ,具備開爾文源極端子設(shè)計。TP65H035G4YS器件結(jié)合了最先進的高壓 GaN HEMT 和低壓硅 MOSFET 技術(shù),可提供卓越的可靠性和性能。TP65H035G4YS 具有以下主要特性:第四代技術(shù)符合 JED…TP65H035G4WSQA
TP65H035G4WSQA 650V 35mΩ 氮化鎵 (GaN) FET 是使用Renesas的 GenIV 平臺構(gòu)建的常閉器件。使用專有技術(shù),從而降低了內(nèi)部封裝電感并簡化了組裝過程。它將最先進的高壓 GaN HEMT 與低壓硅 MOSFET 相結(jié)合,以提供卓越的可靠性和性能。此外,TP65H035G4WSQA還通過了 175C …TP65H070G4RS
TP65H070G4RS 是 Renesas 推出的第四代 SuperGaN 技術(shù)FET器件,采用 TOLT封裝 (頂部散熱型表面貼裝),適用于需要高效熱管理和高可靠性的場景。其主要規(guī)格如下:FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):29A(Tc)驅(qū)…TP65H070G4PS
TP65H070G4PS是一款650V、70mΩ的氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管(FET),采用TO-220封裝,由(Renesas)生產(chǎn)。該器件具有低導(dǎo)通電阻和優(yōu)異開關(guān)性能,適用于高效率電源轉(zhuǎn)換場景。核心參數(shù)FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極…電話咨詢:86-755-83294757
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