商品名稱:PLL,頻率合成器
品牌:Renesas
年份:25+
封裝:56-VFQFPN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2500 件
8T49N283C-999NLGI具有兩個獨(dú)立的分?jǐn)?shù)反饋 PLL,可用作抖動衰減器和頻率轉(zhuǎn)換器。它配備了 6 個整數(shù)和 2 個小數(shù)輸出分頻器,允許產(chǎn)生多達(dá) 8 個不同的輸出頻率,范圍從 8kHz 到 1GHz。其中 4 個頻率彼此獨(dú)立,也與 inputs 完全獨(dú)立。其他 4 個是相關(guān)頻率。8 路輸出可在 LVPECL、LVDS 或 LVCMOS 輸出電平之間進(jìn)行選擇。
8T49N283C-999NLGI主要具備以下技術(shù)參數(shù):
PLL:帶旁路
輸入:晶體
輸出:LVCMOS,LVPECL
電路數(shù):1
比率 - 輸入:輸出:1:8
差分 - 輸入:輸出:無/是
頻率 - 最大值:1GHz
分頻器/倍頻器:是/無
電壓 - 供電:2.375V ~ 3.465V
工作溫度:-40°C ~ 85°C
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:56-VFQFN
8T49N283C-999NLGI的典型應(yīng)用主要包括:
OTN 或 SONET/SDH 設(shè)備線卡(高達(dá) OC-192,并支持 FEC 比率)
OTN 解映射(間隙時鐘和 DCO 模式)
千兆位和太位 IP 交換機(jī)/路由器,包括支持同步以太網(wǎng)
無線基站基帶
數(shù)據(jù)通信
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
瑞薩科技是世界十大半導(dǎo)體芯片供應(yīng)商之一,在很多諸如移動通信、汽車電子和PC/AV 等領(lǐng)域獲得了全球最高市場份額。瑞薩科技在2003年4月1日正式成立,以領(lǐng)先的科技實(shí)現(xiàn)人類的夢想。結(jié)合了日立與三菱電機(jī)在半導(dǎo)體領(lǐng)域上的豐富經(jīng)驗(yàn)和專業(yè)知識,配合全球二萬七千名員工的無限創(chuàng)…
TP65H100G4LSGB
TP65H100G4LSGB是 Renesas 推出的650V SuperGaN GaN FET ,采用 Gen IV 技術(shù)平臺,結(jié)合高電壓 GaN HEMT 與低電壓 硅MOSFET ,具備優(yōu)異可靠性及性能。產(chǎn)品屬性FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):18.9A(Tc)驅(qū)動…TP65H100G4PS
TP65H100G4PS是 Renesas 推出的650V GaN FET (氮化鎵場效應(yīng)晶體管),采用 Gen IV SuperGaN平臺技術(shù),具有高可靠性、低損耗特性。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):18.9A(Tc)驅(qū)動電壓(最大 Rds On…TP65H035G4YS
TP65H035G4YS 是 Renesas 推出的SuperGaN FET器件,采用 TO-247-4L封裝 ,導(dǎo)通電阻為35mΩ,具備開爾文源極端子設(shè)計(jì)。TP65H035G4YS器件結(jié)合了最先進(jìn)的高壓 GaN HEMT 和低壓硅 MOSFET 技術(shù),可提供卓越的可靠性和性能。TP65H035G4YS 具有以下主要特性:第四代技術(shù)符合 JED…TP65H035G4WSQA
TP65H035G4WSQA 650V 35mΩ 氮化鎵 (GaN) FET 是使用Renesas的 GenIV 平臺構(gòu)建的常閉器件。使用專有技術(shù),從而降低了內(nèi)部封裝電感并簡化了組裝過程。它將最先進(jìn)的高壓 GaN HEMT 與低壓硅 MOSFET 相結(jié)合,以提供卓越的可靠性和性能。此外,TP65H035G4WSQA還通過了 175C …TP65H070G4RS
TP65H070G4RS 是 Renesas 推出的第四代 SuperGaN 技術(shù)FET器件,采用 TOLT封裝 (頂部散熱型表面貼裝),適用于需要高效熱管理和高可靠性的場景。其主要規(guī)格如下:FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):29A(Tc)驅(qū)…TP65H070G4PS
TP65H070G4PS是一款650V、70mΩ的氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管(FET),采用TO-220封裝,由(Renesas)生產(chǎn)。該器件具有低導(dǎo)通電阻和優(yōu)異開關(guān)性能,適用于高效率電源轉(zhuǎn)換場景。核心參數(shù)FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極…電話咨詢:86-755-83294757
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