商品名稱:IGBT 晶體管
品牌:ON
年份:25+
封裝:TO-247-4
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:5000 件
FGY4L100T120SWD 采用新穎的現(xiàn)場停止第 7 代 IGBT 技術(shù)和第 7 代二極管,采用 TO247 4 引線封裝,具有低開關(guān)和傳導(dǎo)損耗的最佳性能,可在太陽能逆變器、UPS 和 ESS 等各種應(yīng)用中高效運(yùn)行。
FGY4L100T120SWD 規(guī)格參數(shù):
產(chǎn)品種類: 絕緣柵雙極晶體管(IGBT)
技術(shù): Si
封裝 / 箱體: TO-247-4
安裝風(fēng)格: Through Hole
配置: Single
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1.2 kV
集電極—射極飽和電壓: 1.7 V
柵極/發(fā)射極最大電壓: 20 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 200 A
Pd-功率耗散: 1.071 kW
最小工作溫度: - 55 ℃
最大工作溫度: + 175 ℃
FGY4L100T120SWD 產(chǎn)品特性:
最高結(jié)溫 TJ = 175℃
正溫度系數(shù)
高電流能力
平滑優(yōu)化的開關(guān)
低開關(guān)損耗
FGY4L100T120SWD 應(yīng)用:
太陽能逆變器
UPS
儲能系統(tǒng)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
NVBG110N65S3F
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NVBG190N65S3F:高壓MOSFET——650V,SUPERFET III 系列 N通道功率 MOSFET 晶體管,D2PAK-7相關(guān)概述:SUPERFET III MOSFET 是 onsemi 的高壓超級結(jié) (SJ) MOSFET 系列,采用電荷平衡技術(shù),具有出色的低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷性能。這種先進(jìn)的技術(shù)可最大限度地減少傳導(dǎo)損耗,…NVD360N65S3
NVD360N65S3:650V,10A,SUPERFET III 單 N通道功率 MOSFET 晶體管,DPAK-3詳情:SUPERFET III MOSFET 是 onsemi 的全新高壓超級結(jié) (SJ) MOSFET 系列,采用電荷平衡技術(shù),具有出色的低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷性能。NVD360N65S3——單 N 溝道功率 MOSFET SUPERFET III,易驅(qū)…NVB260N65S3
[高壓MOSFET] NVB260N65S3:SUPERFET III MOSFET——650V , 12A,N通道功率 MOSFET 晶體管,TO-263-2產(chǎn)品詳情:型號:NVB260N65S3封裝:TO-263-2類型:MOSFET 晶體管特性:低 RDS (ON)、低 QG 和電容應(yīng)用:OBC、高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器NVB260N65S3 規(guī)格參數(shù):系列:SuperFET I…電話咨詢:86-755-83294757
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