NVBG190N65S3F:高壓MOSFET——650V,SUPERFET? III 系列 N通道功率 MOSFET 晶體管,D2PAK-7
相關(guān)概述:
SUPERFET? III MOSFET 是 onsemi 的高壓超級結(jié) (SJ) MOSFET 系列,采用電荷平衡技術(shù),具有出色的低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷性能。這種先進(jìn)的技術(shù)可最大限度地減少傳導(dǎo)損耗,提供卓越的開關(guān)性能,并能承受極高的 dv/dt 率。
因此,SUPERFET III MOSFET 非常適合各種電源系統(tǒng)的小型化和高效率要求。SUPERFET III FRFET? MOSFET 優(yōu)化了體二極管的反向恢復(fù)性能,可以去除額外的元件,提高系統(tǒng)可靠性。
NVBG190N65S3F 規(guī)格參數(shù):
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):650 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):20A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):190 毫歐 @ 10A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):5V @ 430μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):36 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):1710 pF @ 400 V
功率耗散(最大值):162W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:D2PAK-7
封裝/外殼:TO-263-8,D2PAK(7 引線 + 凸片),TO-263CA
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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