商品名稱:MOSFET 晶體管
品牌:ON
年份:25+
封裝:D2PAK-7
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:5000 件
[ON] NVBG150N65S3F:650V , 24A,SUPERFET? III 單 N通道功率 MOSFET 晶體管,D2PAK-7
產(chǎn)品詳情:
型號(hào):NVBG150N65S3F
封裝:D2PAK-7
類型:MOSFET 晶體管
特性:低 RDS (ON)、低 QG 和電容
應(yīng)用:板載充電器、高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
相關(guān)信息:
SUPERFET? III MOSFET 是 onsemi 的高壓超級(jí)結(jié) (SJ) MOSFET 系列,采用電荷平衡技術(shù),具有出色的低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷性能。這種先進(jìn)的技術(shù)可最大限度地減少傳導(dǎo)損耗,提供卓越的開關(guān)性能,并能承受極高的 dv/dt 率。
因此,SUPERFET III MOSFET 非常適合各種電源系統(tǒng)的小型化和高效率要求。SUPERFET III FRFET? MOSFET 優(yōu)化了體二極管的反向恢復(fù)性能,可以去除額外的元件,提高系統(tǒng)可靠性。
此外,D2PAK 7 引線封裝還提供開爾文感應(yīng)。 這不僅提高了開關(guān)速度,還使設(shè)計(jì)人員能夠減少整體應(yīng)用的占板面積。
NVBG150N65S3F 規(guī)格參數(shù):
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):650 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):24A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):150 毫歐 @ 12A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):5V @ 540μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):45 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±30V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):2170 pF @ 400 V
功率耗散(最大值):192W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:D2PAK-7
封裝/外殼:TO-263-8,D2PAK(7 引線 + 凸片),TO-263CA
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們?cè)谄嚒⑼ㄐ?、?jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
NVBG110N65S3F
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