商品名稱:IGBT 晶體管
品牌:IXYS
年份:25+
封裝:TO-220-3
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:5000 件
IXYP50N65C3:650V,用于 20-60kHz 開(kāi)關(guān)的極光穿透 IGBT晶體管,TO-220-3
IXYP50N65C3 規(guī)格參數(shù):
產(chǎn)品種類: 絕緣柵雙極晶體管(IGBT)
技術(shù): Si
封裝 / 箱體: TO-220-3
安裝風(fēng)格: Through Hole
配置: Single
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 650 V
集電極—射極飽和電壓: 2.1 V
柵極/發(fā)射極最大電壓: - 20 V, 20 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 132 A
Pd-功率耗散: 600 W
最小工作溫度: - 55 ℃
最大工作溫度: + 175 ℃
集電極最大連續(xù)電流 Ic: 130 A
柵極—射極漏泄電流: 100 nA
IXYP50N65C3 產(chǎn)品特性:
針對(duì) 20-60kHz 開(kāi)關(guān)進(jìn)行了優(yōu)化
方形 RBSOA
雪崩額定值
短路能力
高功率密度
極其堅(jiān)固
低柵極驅(qū)動(dòng)要求
IXYP50N65C3 應(yīng)用:
電源逆變器
UPS
電機(jī)驅(qū)動(dòng)
SMPS
PFC 電路
電池充電器
電焊機(jī)
燈鎮(zhèn)流器
高頻電源逆變器
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開(kāi)具增值稅專用發(fā)票。
IXYS(中文名: 艾賽斯)總部位于美國(guó)硅谷,1983年成立,主營(yíng):MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流橋、二極管、DCB塊、功率模塊、Hybrid、晶體管、逆變器、射頻模塊和單片機(jī)等。業(yè)務(wù)分布于消費(fèi)、汽車(chē)、醫(yī)療、電信、工業(yè)和能源領(lǐng)域,產(chǎn)品技術(shù)特點(diǎn)為高壓、高功率,涵蓋了…
IXFH150N20T
IXFH150N20T是200V 150A N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET晶體管。IXFH150N20T規(guī)格參數(shù)FET類型:N溝道工藝:MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):200 V持續(xù)漏極電流(Id) @ 25C:150A (Tc)驅(qū)動(dòng)電壓(最大導(dǎo)通電阻, 最小導(dǎo)通電阻):10V導(dǎo)通電阻(最大) @ Id, Vgs:15mΩ @ 75A, 10V閾值…IXFH150N17T2
IXFH150N17T2是175V 150A N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET晶體管。IXFH150N17T2規(guī)格參數(shù)FET類型:N溝道工藝:MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):175 V連續(xù)漏極電流(Id) @ 25C:150A (Tc)驅(qū)動(dòng)電壓(最大導(dǎo)通電阻,最小導(dǎo)通電阻):10V導(dǎo)通電阻(Rds On)(最大值) @ Id, Vgs:12毫歐 @…IXFP14N85XM
IXFP14N85XM 是一款高性能 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET,屬于 Ultra-Junction X-Class 系列。IXYH80N90C3
IXYH80N90C3:900V,165A,用于 20-50 kHz 開(kāi)關(guān)的高速 IGBT晶體管,TO-247-3產(chǎn)品詳情:型號(hào):IXYH80N90C3封裝:TO-247-3類型:IGBT 晶體管IXYH80N90C3 產(chǎn)品屬性:系列:GenX3?, XPT?電壓 - 集射極擊穿(最大值):900 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):165 A電流 - 集電…IXTA26P20P
IXTA26P20P 采用 Littelfuse 專利 Polar? 工藝制造,P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET,TO-263(DPak-3L)表面貼裝封裝DSEI36-06AS-TRL
DSEI36-06AS-TRL是一款快速恢復(fù)整流二極管(FRED),采用 TO-263-3(DPak)表面貼裝封裝,單二極管結(jié)構(gòu),專為高頻開(kāi)關(guān)電源、PFC 升壓、UPS、逆變器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等需要快速反向恢復(fù)的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。DSEI36-06AS-TRL 特點(diǎn)/優(yōu)勢(shì):平面鈍化芯片低漏電流極短的恢復(fù)時(shí)間改進(jìn)的熱性能…電話咨詢:86-755-83294757
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