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SCT20N120AG 1200V 汽車級碳化硅功率MOSFET采用 ST先進(jìn)的創(chuàng)新第二/第三代碳化硅MOSFET技術(shù)開發(fā)而成。 該器件具有出色的開關(guān)性能，以及極低的單位面積導(dǎo)通電阻RDS(on)性能指標(biāo)，從而實(shí)現(xiàn)了更高效、更緊湊的系統(tǒng)。ST的1200V SiC MOSFET具有200°C的高溫度額定值，可改進(jìn)電力電子系統(tǒng)的散熱設(shè)計。

產(chǎn)品規(guī)格：

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：1200 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：20A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：239毫歐 @ 10A，20V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 1mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：45 nC @ 20 V

Vgs（最大值）：+25V，-10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：650 pF @ 400 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：153W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 200°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：HiP247?

封裝/外殼：TO-247-3

基本產(chǎn)品編號：SCT20

• 1.平臺上看到的庫存、價格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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  答：我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。

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  答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。