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STB120NF10T4是意法半導(dǎo)體推出的 N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，屬于 STripFET? II 系列，采用 TO-263-3（D2PAK）封裝，適用于高電流、高耐壓 應(yīng)用場(chǎng)景。該器件具有 低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)速度，廣泛應(yīng)用于 電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、工業(yè)控制等領(lǐng)域。

STB120NF10T4產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: D2PAK-3 (TO-263-3)

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V

Id-連續(xù)漏極電流: 110 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 10.5 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 172 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 312 W

通道模式: Enhancement

STB120NF10T4 主要特性

低導(dǎo)通電阻：10.5mΩ @ 60A, 10V，減少導(dǎo)通損耗，提高效率。

高電流承載能力：110A 連續(xù)電流，適用于大功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用。

快速開(kāi)關(guān)性能：上升時(shí)間 90ns，下降時(shí)間 68ns，優(yōu)化 PWM 控制效率。

工業(yè)級(jí)可靠性：100% 雪崩測(cè)試，確保器件在高壓瞬態(tài)下的穩(wěn)定性。

符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，無(wú)鉛封裝，適用于環(huán)保要求嚴(yán)格的場(chǎng)景。

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大，目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

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  答：我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來(lái)源均可追溯，確保原裝正品。

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  答：可以通過(guò)網(wǎng)站上詢價(jià)，也可以通過(guò)電話以及郵箱咨詢。

• 5.下單后什么時(shí)候能發(fā)貨？多久能到？

  答：大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期，您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間，具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉(cāng)庫(kù)、您所選擇的物流方式而定。

• 6.公司能開(kāi)發(fā)票嗎？

  答：可以為個(gè)人用戶開(kāi)具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開(kāi)具增值稅專(zhuān)用發(fā)票。