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AI 處理器

AI 加速器

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品牌

參數(shù)描述

起訂量

庫(kù)存

購(gòu)買(mǎi)數(shù)量

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操作

C3M0060065D

產(chǎn)品說(shuō)明:N 溝道增強(qiáng)型碳化硅功率 MOSFET 晶體管

封裝:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0045065K

產(chǎn)品說(shuō)明:N 溝道增強(qiáng)型碳化硅功率 MOSFET 晶體管

封裝:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0021120D

產(chǎn)品說(shuō)明:N 溝道增強(qiáng)型碳化硅功率 MOSFET 晶體管

封裝:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E4M0060075K1

產(chǎn)品說(shuō)明:汽車(chē) N 溝道增強(qiáng)模式 E 系列碳化硅功率 MOSFET 晶體管

封裝:TO-247-4
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E4M0045075K1

產(chǎn)品說(shuō)明:汽車(chē) N 溝道增強(qiáng)模式 E 系列碳化硅功率 MOSFET 晶體管

封裝:TO-247-4
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
LSIC1MO120G0040

產(chǎn)品說(shuō)明:1200V N 溝道 SiC MOSFET 晶體管

封裝:TO-247-4
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
LSIC1MO120E0160

產(chǎn)品說(shuō)明:1200V N 溝道 SiC MOSFET 晶體管

封裝:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
LSIC1MO120E0120

產(chǎn)品說(shuō)明:1200V N 溝道 SiC MOSFET 晶體管

封裝:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPC100N04S5-2R8

產(chǎn)品說(shuō)明:40V,N-通道,最大 2.8 mΩ,汽車(chē) MOSFET,SSO8 (5x6),OptiMOS?-5

封裝:PG-TDSON-8
10起
10000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW65R007M2H

產(chǎn)品說(shuō)明:CoolSiC? MOSFET 650V 晶體管

封裝:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IQE008N03LM5SC

產(chǎn)品說(shuō)明:OptiMOS? 低電壓 30V N 溝道功率 MOSFET 晶體管

封裝:PG-WHSON-8
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
ISC055N15NM6

產(chǎn)品說(shuō)明:OptiMOS? 6 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

封裝:PG-TDSON-8
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
ISC044N15NM6

產(chǎn)品說(shuō)明:OptiMOS? 6 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

封裝:PG-TSON-8
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IAUTN08S5N012L

產(chǎn)品說(shuō)明:N 溝道 OptiMOS? 5 汽車(chē) MOSFET 晶體管

封裝:PG-HSOF-8
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IAUCN04S7N056D

產(chǎn)品說(shuō)明:N 溝道 OptiMOS? 7 汽車(chē) MOSFET 晶體管

封裝:PG-TDSON-8
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPW60R037P7

產(chǎn)品說(shuō)明:600V CoolMOS? P7 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

封裝:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
共2631記錄?上一頁(yè)1234...165下一頁(yè)?
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