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NVD260N65S3：650V , 12A，SUPERFET? III 單 N通道功率 MOSFET 晶體管，DPAK-3

產(chǎn)品詳情：

型號：NVD260N65S3

封裝：DPAK-3

類型：MOSFET 晶體管

規(guī)格參數(shù)：

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：12A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：260 毫歐 @ 6A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 290μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：23.5 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±30V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1042 pF @ 400 V

功率耗散（最大值）：90W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：DPAK

封裝/外殼：TO-252-3，DPAK（2 引線 +耳片），SC-63

相關(guān)信息：

SUPERFET III MOSFET 是 onsemi 的全新高壓超級結(jié) (SJ) MOSFET 系列，采用電荷平衡技術(shù)，具有出色的低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷性能。這種先進(jìn)的技術(shù)可最大限度地減少傳導(dǎo)損耗，提供卓越的開關(guān)性能，并能承受極高的 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET 非常適合各種電源系統(tǒng)，可實現(xiàn)小型化和高效率。SUPERFET III FRFET MOSFET 優(yōu)化了體二極管的反向恢復(fù)性能，可去除額外元件，提高系統(tǒng)可靠性。

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