TP70H150G4LSG是一款采用 PQFN-8x8 封裝的 700V 150m? SuperGaN FET器件。它基于 Gen IV SuperGaN? 平臺，通過集成高壓 GaN HEMT 和優(yōu)化低壓 硅MOSFET ，實現(xiàn)超過2kV人體模型靜電放電（HBM ESD）等級。
TP70H150G4LSG 主要特點包括：
■ 第四代技術(shù)
■ JEDEC合格的氮化鎵技術(shù)
■ 動態(tài) RDS（on）eff 生產(chǎn)測試
■ 堅固的設(shè)計，定義為
● 寬門安全裕度
● 瞬態(tài)過壓能力
■ 非常低的 QRR
■ 減少交叉損耗
■ 符合RoHS標準的無鹵包裝
典型應(yīng)用
■ 消費領(lǐng)域
■ 電源適配器
■ 低功耗 SMPS
■ 照明系統(tǒng)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
瑞薩科技是世界十大半導體芯片供應(yīng)商之一，在很多諸如移動通信、汽車電子和PC/AV 等領(lǐng)域獲得了全球最高市場份額。瑞薩科技在2003年4月1日正式成立，以領(lǐng)先的科技實現(xiàn)人類的夢想。結(jié)合了日立與三菱電機在半導體領(lǐng)域上的豐富經(jīng)驗和專業(yè)知識，配合全球二萬七千名員工的無限創(chuàng)…
TP65H300G4JSGB
TP65H300G4JSGB是一款 650V 240mΩ 氮化鎵 （GaN） FET 是使用瑞薩電子第四代平臺構(gòu)建的常閉器件。該晶體管結(jié)合了最先進的高壓 GaN HEMT 和低壓硅 MOSFET 技術(shù)，提供卓越的可靠性和性能。TP65H300G4JSGB主要規(guī)格如下：晶體管極性：N-Channel通道數(shù)量：1 ChannelVds-漏源極…
TP65H300G4LSGB
TP65H300G4LSGB 650V 240mΩ 氮化鎵 （GaN） FET 是使用瑞薩電子的 Gen IV 平臺構(gòu)建的常閉器件。TP65H300G4LSGB結(jié)合了最先進的高壓 GaN HEMT 和低壓硅 MOSFET 技術(shù)，提供卓越的可靠性和性能。TP65H300G4LSGB采用行業(yè)標準的 PQFN88 封裝，具有 Kelvin 源和通用源封裝配置?！?/span>
AT25SF2561C-SXUB
AT25SF2561C-SXUB是一款256 Mbit SPI串行閃存，由Renesas生產(chǎn)，支持單/雙/四線I/O、QPI和DTR接口，適用于工業(yè)、消費電子等領(lǐng)域。該器件具有以下特性：通用兼容的引腳排列和命令集標準塊架構(gòu)支持雙 I/O、四 I/O、QPI 和 XiP 操作高達 133MHz雙倍傳輸速率（DTR）高達 84MHz…
AT25SF2561C-MWUB
AT25SF2561C-MWUB是Renesas推出的256Mbit 3V SPI串行閃存，支持單路、雙路、四路 I/O、QPI 和 DTR操作，適用于工業(yè)、消費類和聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用。其技術(shù)參數(shù)如下：安裝風格：SMD/SMT封裝 / 箱體：DFN-8系列：AT25xF2561C存儲容量：256 Mbit電源電壓-最?。?.7 V電源電壓-最大：3.6…
AT25QF2561C-SXUB
AT25QF2561C-SXUB 256Mbit串行外設(shè)接口（SPI）NOR閃存器件設(shè)計用于各種大容量工業(yè)、消費類和聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用。AT25QF2561C-SXUB可用于將從閃存啟動到嵌入式或外部RAM的程序存儲器存儲，和/或用于直接從閃存執(zhí)行（XiP）中執(zhí)行代碼。為了實現(xiàn)快速執(zhí)行，AT25QF2561C-SXUB支持高達13…
AT25QF2561C-MWUB
AT25QF2561C-MWUB是一款 256Mbit 串行外設(shè)接口（SPI）閃存器件，用于各種大容量工業(yè)、消費電子和連接應(yīng)用。 它可以儲存從閃存到嵌入式或外部 RAM 的程序內(nèi)存，和/或直接從閃存執(zhí)行代碼（就地執(zhí)行（XiP））。 為了實現(xiàn)快速執(zhí)行，AT25QF2561C-MWUB支持四通道 SPI 和 QPI 接…電話咨詢：86-755-83294757
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