商品名稱:碳化硅 (SiC) MOSFET
品牌:Diotec
年份:25+
封裝:TO-247-4
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
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DIF120SIC053-AQ:SiC MOSFET 晶體管——高速高壓(功率)開關(guān),TO-247-4
型號(hào):DIF120SIC053-AQ
封裝:TO-247-4
類型:SiC MOSFET 晶體管
DIF120SIC053-AQ 產(chǎn)品屬性:
FET 類型:N 通道
技術(shù):SiCFET(碳化硅)
漏源電壓(Vdss):1200 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):65A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):18V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):53 毫歐 @ 33A,18V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):4V @ 9.5mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):121 nC @ 15 V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):2070 pF @ 1000 V
功率耗散(最大值):278W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-247-4
DIF120SIC053-AQ 產(chǎn)品特征:
碳化硅寬帶隙材料
較大的間隙和爬電空間
開爾文源可實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)并
降低柵極噪聲水平
低導(dǎo)通電阻
開關(guān)時(shí)間快
柵極電荷低
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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Diotec Semiconductor是一家總部位于德國的半導(dǎo)體公司,成立于1975年,擁有超過40年的二極管研發(fā)和制造經(jīng)驗(yàn)。公司憑借其專業(yè)技術(shù)和高質(zhì)量產(chǎn)品,在電子元器件領(lǐng)域享有盛譽(yù)?。Diotec Semiconductor的主要產(chǎn)品包括各種二極管、整流器、保護(hù)器件(如TVS/ESD)、三極管、場(chǎng)效…
DIW120SIC059-AQ
DIW120SIC059-AQ:1200V,65A,SiC MOSFET 晶體管——高速高壓(功率)開關(guān),TO-247-4基本信息:型號(hào):DIW120SIC059-AQ封裝:TO-247-4類型:SiC MOSFET 晶體管FET 類型:N 通道技術(shù):SiCFET(碳化硅)漏源電壓(Vdss):1200 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):65A(Tc)驅(qū)動(dòng)…DIF120SIC022
DIF120SIC022是一款1200 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管,由于SiC材料的特性,DIF120SIC022器件的開關(guān)損耗較低。相比傳統(tǒng)的硅(Si)器件,SiC器件在開關(guān)過程中產(chǎn)生的損耗更小,這有助于提高系統(tǒng)的整體效率和可靠性?。此外,DIF120SIC022器件適用于高頻應(yīng)用,能夠在高頻條件…DIF065SIC030
DIF065SIC030是 Diotec Semiconductor 推出的碳化硅(SiC)MOSFET 器件,屬于其 SiC 功率半導(dǎo)體產(chǎn)品線。DIF065SIC030采用 4H-SiC 晶型襯底,具備寬禁帶(約 3.2eV)、高臨界擊穿電場(chǎng)(約 2.8 MV/cm)及高熱導(dǎo)率等優(yōu)勢(shì),適合高溫、高壓、高頻應(yīng)用?。技術(shù)參數(shù)封裝 / 箱體:…DIF065SIC020
DIF065SIC020器件是一款650 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管,具有禁帶寬度寬、臨界擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和漂移速度高及抗輻射能力強(qiáng)等特點(diǎn)?。由于SiC材料的優(yōu)勢(shì),DIF065SIC020非常適合于高溫、高壓、高頻、大功率等應(yīng)用場(chǎng)景。它特別適用于需要高效能、高可靠性的工…電話咨詢:86-755-83294757
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