商品名稱:SRAM 存儲(chǔ)器
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:PG-TSOP-48
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
CY62177G30-55ZXI 是具有嵌入式 ECC 的高性能 CMOS、低功耗 (MoBL?) SRAM 器件。該器件提供單、雙芯片使能選項(xiàng)和多種引腳配置。CY62177G30-55ZXI 器件包含一個(gè)ERR 引腳,用于在讀取周期中發(fā)出單位錯(cuò)誤檢測(cè)和糾正事件信號(hào)。
CY62177G30-55ZXI 的特性
超低待機(jī)電流
典型待機(jī)電流:3 μA
最大待機(jī)電流:19 μA
高速:55 毫微秒
嵌入式糾錯(cuò)碼 (ECC),用于單位糾錯(cuò)
工作電壓范圍:2.2 V 至 3.6 V
1.5 V 數(shù)據(jù)保持
晶體管晶體管邏輯 (TTL) 兼容輸入和輸出
錯(cuò)誤指示 (ERR) 引腳,用于指示 1 位錯(cuò)誤檢測(cè)和糾正
48 引腳 TSOP I 封裝,可配置為 2M × 16 或 4M × 8 SRAM
提供無鉛 48 球 VFBGA 和 48 引腳 TSOP I 封裝
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
100-TQFP
2000
ИМС 18-Мбит синхронной памяти SRAM с проточным управлением
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
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IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。BTS5210G
BTS5210G是一款 雙通道智能高側(cè)電源開關(guān),采用 SIPMOS 技術(shù) 集成 N 溝道垂直功率 MOSFET,適用于 12V 和 24V 接地負(fù)載 的電源管理應(yīng)用。電話咨詢:86-755-83294757
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