商品名稱:SRAM 存儲(chǔ)器
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:FBGA-165
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
CY7C1460KV33-167BZC 是 3.3 V、1M × 36 同步流水線突發(fā) SRAM,分別采用 No Bus Latency? (NoBL?) 邏輯。它們?cè)O(shè)計(jì)用于支持無(wú)等待狀態(tài)的無(wú)限真正背靠背讀/寫(xiě)操作。CY7C1460KV33-167BZC 器件配備了先進(jìn)的 (NoBL) 邏輯,可在每個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)傳輸數(shù)據(jù),實(shí)現(xiàn)連續(xù)讀/寫(xiě)操作。
CY7C1460KV33-167BZC 的特性
引腳兼容,功能等同于零總線周轉(zhuǎn) (ZBT?)
支持零等待狀態(tài)下的 250-MHz 總線操作
可用速度等級(jí)為 250、200 和 167 MHz
內(nèi)部自定時(shí)輸出緩沖器控制,無(wú)需使用異步 OE
完全寄存(輸入和輸出),用于流水線操作
字節(jié)寫(xiě)入功能
3.3 V 電源
3.3 V/2.5 V I/O 電源
時(shí)鐘到輸出時(shí)間短
2.5 ns(250 MHz 器件)
時(shí)鐘使能 (CEN) 引腳可暫停運(yùn)行
同步自定時(shí)寫(xiě)入
IEEE 1149.1 JTAG 兼容邊界掃描
突發(fā)能力線性或交錯(cuò)突發(fā)順序
“ZZ "睡眠模式選項(xiàng)
片上糾錯(cuò)碼 (ECC),可降低軟錯(cuò)誤率 (SER)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
100-TQFP
2000
ИМС 18-Мбит синхронной памяти SRAM с проточным управлением
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
答:我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來(lái)源均可追溯,確保原裝正品。
答:目前我們自營(yíng)代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線品牌,其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要,我們可以針對(duì)具體品牌型號(hào)來(lái)溝通確認(rèn)。
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答:可以為個(gè)人用戶開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開(kāi)具增值稅專用發(fā)票。
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…S6E2H46G0AGB3000A
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IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。BTS5210G
BTS5210G是一款 雙通道智能高側(cè)電源開(kāi)關(guān),采用 SIPMOS 技術(shù) 集成 N 溝道垂直功率 MOSFET,適用于 12V 和 24V 接地負(fù)載 的電源管理應(yīng)用。電話咨詢:86-755-83294757
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