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產(chǎn)品分類

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商品型號(hào):IMDQ65R015M2H

商品名稱:碳化硅 MOSFET 單管

品牌:INFINEON

年份:25+

封裝:PG-HDSOP-22

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:2000

數(shù)量:
在線詢價(jià)

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號(hào)
IMDQ65R015M2H
封裝
PG-HDSOP-22
描述
CoolSiC? 650 V G2 碳化硅 MOSFET 晶體管

產(chǎn)品描述

IMDQ65R015M2H是英飛凌(Infineon)推出的一款CoolSiC? MOSFET 650 V Generation 2產(chǎn)品,采用Q-DPAK封裝,具有頂側(cè)冷卻功能?。IMDQ65R015M2H利用第二代CoolSiC?技術(shù)的優(yōu)越開關(guān)性能,提供了頂側(cè)冷卻的優(yōu)勢,進(jìn)一步提升了系統(tǒng)的整體性能。


技術(shù)規(guī)格

產(chǎn)品:IMDQ65R015M2H

晶體管極性:N-Channel

通道數(shù)量:1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:650 V

Id-連續(xù)漏極電流:94 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:18 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:- 7 V, + 23 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:5.6 V

Qg-柵極電荷:79 nC

工作溫度:- 55°C 至 + 175°C

Pd-功率耗散:499 W

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時(shí)間:6.4 ns

濕度敏感性:Yes

封裝/箱體:HDSOP-22

產(chǎn)品:SiC MOSFETS

產(chǎn)品類型:SiC MOSFETS

上升時(shí)間:14.7 ns

晶體管類型:1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:22 ns

典型接通延遲時(shí)間:11.6 ns


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型號(hào)

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封裝

數(shù)量

描述

IMZ120R060M1H

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TO-247-4

3000

1200V、60mΩ、CoolSiC? 碳化硅 MOSFET 晶體管、TO-247-4

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IXSH40N120L2KHV

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1200 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管

常見問題

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INFINEON

INFINEON

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…

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