商品名稱:N-通道功率MOSFET
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PQFN-8
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:25000 件
IRFH7084TRPBF為StrongIRFET? 功率 MOSFET 系列針對(duì)低 RDS(導(dǎo)通)和高電流能力進(jìn)行了優(yōu)化。這些器件非常適合要求性能和堅(jiān)固性的低頻應(yīng)用。全面的產(chǎn)品組合可滿足包括直流電機(jī)、電池管理系統(tǒng)、逆變器和直流-直流轉(zhuǎn)換器在內(nèi)的廣泛應(yīng)用。
功能概述
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)表面貼裝電源封裝
產(chǎn)品認(rèn)證符合 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)
針對(duì)開關(guān)頻率低于 100 kHz 的應(yīng)用進(jìn)行了硅優(yōu)化
與上一代硅相比,體二極管更軟
提供廣泛的產(chǎn)品組合
優(yōu)勢(shì)
改進(jìn)了柵極、雪崩和動(dòng)態(tài) dV/dt 強(qiáng)度
全面鑒定電容和雪崩 SOA
增強(qiáng)的體二極管 dV/dt 和 dI/dt 能力
無鉛,符合 RoHS 規(guī)范
IRFH7084TRPBF器件屬性:
FET 類型: N 通道
技術(shù): MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss): 40 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) :100A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值): 1.25 毫歐 @ 100A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值): 3.9V @ 150μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值): 190 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值): 6560 pF @ 25 V
功率耗散(最大值): 156W(Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝: 8-PQFN(5x6)
封裝/外殼:8-PowerTDFN
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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