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SCT3060AW7是650V 38A的N通道 SiC功率MOSFET。采用溝槽結(jié)構(gòu)，降低了導(dǎo)通電阻。

規(guī)格

FET 類型：N 通道  

技術(shù)： SiCFET（碳化硅）  

漏源電壓（Vdss）： 650 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：38A（Tc）  

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）： 78 毫歐 @ 13A，18V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 5.6V @ 6.67mA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 58 nC @ 18 V  

Vgs（最大值）： +22V，-4V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 852 pF @ 500 V  

FET 功能： -  

功率耗散（最大值）： 159W  

工作溫度： 175°C（TJ）  

安裝類型： 表面貼裝型  

供應(yīng)商器件封裝： TO-263-7  

封裝/外殼： TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA  

基本產(chǎn)品編號： SCT3060

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