商品名稱:碳化硅 MOSFET 單管
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG-TO263-7
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
IMBG120R034M2H是一款CoolSiC MOSFET分立式1200 V G2,采用TO-263-7封裝。英飛凌CoolSiC? MOSFET立足于一流的溝槽半導(dǎo)體工藝,經(jīng)過優(yōu)化,可實現(xiàn)應(yīng)用中的最低損耗和運行中的最高可靠性。
產(chǎn)品屬性:
晶體管極性:N-Channel
通道數(shù)量:1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:1.2 kV
Id-連續(xù)漏極電流:58 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:90 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:- 7 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:5.1 V
Qg-柵極電荷:45 nC
工作溫度:- 55°C 至 + 175°C
Pd-功率耗散:278 W
封裝:PG-TO263-7
通道模式:Enhancement
商標(biāo)名:CoolSiC
商標(biāo):Infineon Technologies
配置:Single
下降時間:5.2 ns
封裝:Reel
封裝:Cut Tape
產(chǎn)品:SiC MOSFETS
產(chǎn)品類型:SiC MOSFETS
上升時間:15.5 ns
系列:1200V G2
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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