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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

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商品型號:IPQC60T010S7

商品名稱:N-通道功率MOSFET

品牌:INFINEON

年份:24+

封裝:PG-HDSOP-22

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:2000

數(shù)量:
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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號
IPQC60T010S7
封裝
PG-HDSOP-22
描述
600 V CoolMOS S7T功率MOSFET

產(chǎn)品描述

IPQC60T010S7是一款600 V CoolMOS S7T功率MOSFET,它非常適合 MOSFET 以低頻開關(guān)的應(yīng)用,例如有源橋整流、逆變級、浪涌繼電器、PLC、功率固態(tài)繼電器和固態(tài)斷路器。


Infineon的高性能 CoolMOS? SJ MOSFET 技術(shù)可以輕松設(shè)計速度更快、品質(zhì)卓越的新型高功率產(chǎn)品。 S7 系列高壓超級結(jié) MOSFET將 22 mOhm 芯片內(nèi)置于創(chuàng)新的小型 TO 無引線 (TOLL) SMD 封裝中,為功率密度樹立了新的基準(zhǔn)。


產(chǎn)品屬性:

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:PG-HDSOP-22

晶體管極性:N-Channel

通道數(shù)量:1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:600 V

Id-連續(xù)漏極電流:174 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:10 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:4 V

Qg-柵極電荷:318 nC

工作溫度:- 55°C 至 + 150°C

Pd-功率耗散:694 W

通道模式:Enhancement

封裝:Reel

封裝:Cut Tape

商標(biāo):Infineon Technologies

配置:Single

下降時間:9 ns

產(chǎn)品類型:MOSFETs


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TO-247-3

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常見問題

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    答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。

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INFINEON

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…

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