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產(chǎn)品分類

AI 處理器

電阻器網(wǎng)絡(luò)

圖片僅供參考,請參閱產(chǎn)品規(guī)格
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商品型號:AIMCQ120R040M1T

商品名稱:碳化硅 MOSFET 單管

品牌:INFINEON

年份:24+

封裝:PG-HDSOP-22

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:2000

數(shù)量:
在線詢價

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號
AIMCQ120R040M1T
封裝
PG-HDSOP-22
描述
汽車用CoolSiC? MOSFET 1200 V/61 A ?Q-DPAK封裝 (HDSOP-22-3), 40 m?

產(chǎn)品描述

AIMCQ120R040M1T器件是1200V 汽車用CoolSiC? MOSFET產(chǎn)品,它是專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構(gòu)應(yīng)用而設(shè)計。


英飛凌CoolSiC? MOSFET立足于一流的溝槽半導(dǎo)體工藝,經(jīng)過優(yōu)化,可實(shí)現(xiàn)應(yīng)用中的最低損耗和運(yùn)行中的最高可靠性。


基本參數(shù):

產(chǎn)品:AIMCQ120R040M1T

FET 類型:N 通道

技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)

漏源電壓(Vdss):1200 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):61A(Tc)

驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):18V,20V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):50 毫歐 @ 20A,20V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):5.1V @ 6.4mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):43 nC @ 20 V

Vgs(最大值):+25V,-10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):1264 pF @ 800 V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):341W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)

等級:汽車級

資質(zhì):AEC-Q101

安裝類型:表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝:PG-HDSOP-22


應(yīng)用:

車載充電器

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常見問題

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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…

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