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產(chǎn)品分類

AI 處理器

電阻器網(wǎng)絡(luò)

圖片僅供參考,請參閱產(chǎn)品規(guī)格
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商品型號:GS-065-014-6-L-MR

商品名稱:GaN 晶體管

品牌:INFINEON

年份:24+

封裝:PDFN 5x6

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:1250

數(shù)量:
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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號
GS-065-014-6-L-MR
封裝
PDFN 5x6
描述
GaN 場效應(yīng)晶體管 表面貼裝型 N 通道 700 V 15.2A(Tc) 8-PDFN(5x6)

產(chǎn)品描述

GS-065-014-6-L-MR是CoolGaN?晶體管700 V G4,具有極高的效率和可靠性。這些700V CoolGaN功率晶體管可在電源開關(guān)中實現(xiàn)超高功率密度設(shè)計和高系統(tǒng)效率。


這些功率晶體管具有非常低的結(jié)殼熱阻,因此非常適合用于要求苛刻的大功率應(yīng)用。其中一些應(yīng)用包括數(shù)據(jù)中心和計算解決方案、電源適配器、LED照明驅(qū)動器、開關(guān)模式電源 (SMPS)、無線電源傳輸和電機(jī)驅(qū)動器。


GS-065-014-6-L-MR器件規(guī)格

FET 類型: N 通道  

技術(shù): GaNFET(氮化鎵)  

漏源電壓(Vdss): 700 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id): 15.2A(Tc)  

驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V  

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值): 138 毫歐 @ 4A,6V  

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值): 2.6V @ 3mA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值): 2.7 nC @ 6 V  

Vgs(最大值): +7V,-10V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值): 85 pF @ 400 V  

工作溫度: -55°C ~ 150°C(TJ)  

安裝類型: 表面貼裝型  

供應(yīng)商器件封裝: 8-PDFN(5x6)  

封裝/外殼: 8-PowerVDFN 

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GaN HEMT – 氮化鎵晶體管 100 V G3,PQFN 3x3,5 mΩ

常見問題

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    答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。

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    答:可以通過網(wǎng)站上詢價,也可以通過電話以及郵箱咨詢。

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