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產(chǎn)品分類

AI 處理器

電阻器網(wǎng)絡(luò)

圖片僅供參考,請參閱產(chǎn)品規(guī)格
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商品型號:GS-065-011-1-L-TR

商品名稱:GaN 晶體管

品牌:INFINEON

年份:24+

封裝:PDFN 5x6

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:3000

數(shù)量:
在線詢價(jià)

聯(lián)系人:

聯(lián)系郵箱:

聯(lián)系電話:

公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號
GS-065-011-1-L-TR
封裝
PDFN 5x6
描述
GaN 場效應(yīng)晶體管 650V,11A,GaN E-模式,5x6 PDFN,底部冷卻

產(chǎn)品描述

GS-065-011-1-L-TR 是一款增強(qiáng)型硅基 GaN 功率晶體管。 GaN 的特性允許高電流、高電壓擊穿和高開關(guān)頻率。 GS-065-011-1-L-TR 是一款采用 5x6 mm PDFN 封裝的底部冷卻晶體管,可實(shí)現(xiàn)現(xiàn)代 USB-C 適配器和充電器或其他中等功率應(yīng)用所需的理想功耗。


GS-065-011-1-L-TR 規(guī)格

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: GaN 場效應(yīng)晶體管

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V

Id-連續(xù)漏極電流: 11 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 150 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 10 V, + 7 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.5 V

Qg-柵極電荷: 2 nC

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 150 C

通道模式: Enhancement

配置: Single

最大工作頻率: > 1 MHz

最小工作頻率: 0 Hz

濕度敏感性: Yes

系列: GS-065

技術(shù): GaN-on-Si

晶體管類型: E-Mode


應(yīng)用領(lǐng)域

AC-DC

USB供電

USB PD適配器

充電器

工業(yè)

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型號

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封裝

數(shù)量

描述

IGLD65R080D2

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PG-LSON-8

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650 V G5 GaN HEMT – 氮化鎵晶體管

IGC033S10S1

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3000

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PG-TSON-6

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IGB110S10S1

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PG-TSON-4

3000

GaN HEMT – 氮化鎵晶體管 100 V G3,PQFN 3x3,8 mΩ

IGB110S101

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PG-VSON-4

3000

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IGB070S10S1

INFINEON

PG-TSON-4

3000

GaN HEMT – 氮化鎵晶體管 100 V G3,PQFN 3x3,5 mΩ

常見問題

  • 1.平臺上看到的庫存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎?

    答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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    答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。

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    答:可以通過網(wǎng)站上詢價(jià),也可以通過電話以及郵箱咨詢。

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    答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。

INFINEON

INFINEON

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