商品名稱:GaN 晶體管
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PDFN 5x6
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
GS-065-011-1-L-TR 是一款增強(qiáng)型硅基 GaN 功率晶體管。 GaN 的特性允許高電流、高電壓擊穿和高開關(guān)頻率。 GS-065-011-1-L-TR 是一款采用 5x6 mm PDFN 封裝的底部冷卻晶體管,可實(shí)現(xiàn)現(xiàn)代 USB-C 適配器和充電器或其他中等功率應(yīng)用所需的理想功耗。
GS-065-011-1-L-TR 規(guī)格
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: GaN 場效應(yīng)晶體管
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V
Id-連續(xù)漏極電流: 11 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 150 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 10 V, + 7 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.5 V
Qg-柵極電荷: 2 nC
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
通道模式: Enhancement
配置: Single
最大工作頻率: > 1 MHz
最小工作頻率: 0 Hz
濕度敏感性: Yes
系列: GS-065
技術(shù): GaN-on-Si
晶體管類型: E-Mode
應(yīng)用領(lǐng)域
AC-DC
USB供電
USB PD適配器
充電器
工業(yè)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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ICE5GR1680AG 是由 Infineon 推出的一款最新第5代固定頻率 CoolSET? 控制器,集成了最新一代800V CoolMOS? 超結(jié) MOSFET P7,采用 DSO-12 封裝??。該器件具有以下主要特點(diǎn)和優(yōu)勢:125kHz 最大開關(guān)頻率,帶有 800V 集成 MOSFET采用通用寬域輸入 (85~300VAC) DCM 設(shè)計(jì),…電話咨詢:86-755-83294757
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