商品名稱:MSC025SMA120
數(shù)據(jù)手冊:MSC025SMA120.pdf
品牌:Microchip
年份:23+
封裝:TO-247-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
MSC025SMA120 (SiC) 肖特基勢壘二極管 (SBD) 具有出色的動態(tài)性能和熱性能,優(yōu)于傳統(tǒng)的硅功率二極管。碳化硅勢壘二極管由硅 (Si) 和碳 (C) 組成。與純硅器件相比,碳化硅器件具有更高的介電擊穿場強、更高的帶隙和更高的熱導率。碳化硅肖特基二極管具有零正向和反向恢復電荷,可減少二極管的開關(guān)損耗。這些器件還設(shè)有溫度獨立開關(guān),可確保穩(wěn)定的高溫性能。
產(chǎn)品規(guī)格:
FET 類型:N 通道
技術(shù):SiCFET(碳化硅)
漏源電壓(Vdss):1200 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):103A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):20V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):31 毫歐 @ 40A,20V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):232 nC @ 20 V
Vgs(最大值):+25V,-10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):3020 pF @ 1000 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):500W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:通孔
供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3
封裝/外殼:TO-247-3
基本產(chǎn)品編號:MSC025
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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