商品名稱:碳化硅 (SiC) MOSFET
品牌:ON
年份:24+
封裝:TO-247-3
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:3000 件
NVHL060N065SC1 EliteSiC MOSFET是一款650V、60mΩ(典型值)、47A單N溝道MOSFET,采用緊湊、高效的設(shè)計(jì) 實(shí)現(xiàn)高的熱性能。該MOSFET采用 全新的技術(shù),與硅器件相比,具有更出色的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性。此外,低導(dǎo)通電阻和緊湊的芯片尺寸可確保低電容和低柵極電荷。典型應(yīng)用包括汽車車載充電器和電動(dòng)汽車 (EV) 直流/直流轉(zhuǎn)換器。
NVHL060N065SC1的規(guī)格:
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降時(shí)間:8 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值:2 S
Id-連續(xù)漏極電流:47 A
最大工作溫度:+ 175°C
最小工作溫度:- 55°C
安裝風(fēng)格:Through Hole
通道數(shù)量:1 Channel
封裝 / 箱體:TO-247-3
封裝:Tube
Pd-功率耗散:176 W
產(chǎn)品類型:SiC MOSFETS
Qg-柵極電荷:74 nC
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:44 mOhms
上升時(shí)間:32 ns
系列:NVHL060N065SC1
工廠包裝數(shù)量:450
子類別:Transistors
技術(shù):SiC
商標(biāo)名:EliteSiC
晶體管極性:N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:23 ns
典型接通延遲時(shí)間:12 ns
Vds-漏源極擊穿電壓:650 V
Vgs - 柵極-源極電壓:- 8 V, + 22 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:4.3 V
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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