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產(chǎn)品分類

AI 處理器

電阻器網(wǎng)絡(luò)

圖片僅供參考,請參閱產(chǎn)品規(guī)格
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商品型號:NTBL060N065SC1

商品名稱:碳化硅 (SiC) MOSFET

品牌:ON

年份:24+

封裝:TOLL

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:3000

數(shù)量:
在線詢價

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聯(lián)系郵箱:

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
ON
型號
NTBL060N065SC1
封裝
TOLL
描述
碳化硅 (SiC) MOSFET EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, TOLL

產(chǎn)品描述

NTBL060N065SC1 650V碳化硅(SiC) MOSFET采用全新技術(shù),與硅相比,可提供卓越的開關(guān)性能和更高的可靠性。此外,低導(dǎo)通電阻和緊湊的芯片尺寸確保了低電容和柵極電荷。因此,系統(tǒng)優(yōu)勢包括最高效率、更快的工作頻率、更高的功率密度、更低的EMI和更小的系統(tǒng)尺寸。


NTBL060N065SC1的規(guī)格:

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:11 ns

Id-連續(xù)漏極電流:46 A

最大工作溫度:+ 170°C

最小工作溫度:- 55°C

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

通道數(shù)量:1 Channel

封裝 / 箱體:SO-8

封裝:Reel

封裝:Cut Tape

Pd-功率耗散:170 W

產(chǎn)品類型:SiC MOSFETS

Qg-柵極電荷:74 nC

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:70 mOhms

上升時間:14 ns

系列:NTBL060N065SC1

工廠包裝數(shù)量:2000

子類別:Transistors

技術(shù):SiC

商標(biāo)名:EliteSiC

晶體管極性:N-Channel

典型關(guān)閉延遲時間:24 ns

典型接通延遲時間:11 ns

Vds-漏源極擊穿電壓:650 V

Vgs - 柵極-源極電壓:- 8 V, + 22.6 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:4.3 V


典型應(yīng)用:

SMPS(開關(guān)模式電源)

太陽能逆變器

UPS(不間斷電源)

能量儲存


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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…

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