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SCT3080ALHRC11是一款采用溝槽柵極結構的650V SiC MOSFET。與平面型SiC-MOSFET相比，同一芯片尺寸的導通電阻可降低50%，這將大幅降低太陽能發(fā)電用功率調節(jié)器和工業(yè)設備用電源、工業(yè)用逆變器等所有相關設備的功率損耗。

SCT3080ALHRC11的規(guī)格：

FET 類型：N 通道

技術：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：30A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：104 毫歐 @ 10A，18V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5.6V @ 5mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：48 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+22V，-4V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：571 pF @ 500 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：134W

工作溫度：175°C（TJ）

等級：汽車級

資質：AEC-Q101

安裝類型：通孔

供應商器件封裝：TO-247N

封裝/外殼：TO-247-3

基本產(chǎn)品編號：SCT3080

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