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NVHL1000N170M1碳化硅（SiC）MOSFET是一款1700V M1平面器件，優(yōu)化用于快速開關應用。該平面技術可在柵極處于負柵極電壓驅(qū)動和關斷尖峰狀態(tài)下可靠工作。該N溝道ElteSiC MOSFET由20V柵極驅(qū)動時具有最佳性能，但也可與18V柵極驅(qū)動配合使用。

特點

? 典型值 RDS(on) = 960 m @ VGS = 20 V

? 超低柵極電荷 (QG(tot) = 14 nC)

? 高速開關，低電容（Coss = 11 pF）

? 100% 通過雪崩測試

? 通過 AEC-Q101 認證和 PPAP 認證

典型應用

? 反激式轉(zhuǎn)換器

規(guī)格

FET 類型： N 通道  

技術： SiC（碳化硅結晶體管）  

漏源電壓（Vdss）： 1700 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：4.2A（Tc）  

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 20V  

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）： 1.43 歐姆 @ 2A，20V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 4.3V @ 640μA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 14 nC @ 20 V  

Vgs（最大值）： +25V，-15V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 150 pF @ 1000 V  

功率耗散（最大值） 48W（Tc）  

工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ）  

等級： 汽車級  

資質(zhì)： AEC-Q101  

安裝類型： 通孔  

供應商器件封裝： TO-247-3 

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