SUPERFET III MOSFET是安森美半導(dǎo)體的全新高壓超級結(jié)(SJ)MOSFET系列,采用電荷平衡技術(shù),具有出色的低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷性能。這種先進的技術(shù)可最大限度地減少傳導(dǎo)損耗,提供卓越的開關(guān)性能,并能承受極高的 dv/dt 速率。因此,SUPERFET III FAST MOSFET 系列有助于最大限度地減少各種電源系統(tǒng),提高系統(tǒng)效率。
NTD360N65S3H器件規(guī)格
制造商: onsemi
系列: SuperFET? III
FET 類型: N 通道
技術(shù): MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss): 650 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id): 10A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值): 360 毫歐 @ 5A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值): 4V @ 700μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值): 17.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值): 916 pF @ 400 V
功率耗散(最大值): 83W(Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型: 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝: TO-252(DPAK)
封裝/外殼: TO-252-3,DPAK(2 引線 +耳片),SC-63
特性
? 700 V @ TJ = 150°C
? 典型值 RDS(on) = 296 m
? 超低柵極電荷(典型值 Qg = 17.5 nC)
? 低有效輸出電容(Typ. Coss(eff.) = 180 pF)
? 100% 通過雪崩測試
? 這些器件無鉛,符合 RoHS 規(guī)范
應(yīng)用
? 計算/顯示器電源
? 電信/服務(wù)器電源
? 工業(yè)電源
? 照明/充電器/適配器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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