商品名稱:NVBG080N120SC1
數(shù)據(jù)手冊(cè):NVBG080N120SC1.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:D2PAK-7
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:5000 件
NVBG080N120SC1碳化硅(SiC)MOSFET,N溝道-EleteSiC,80 mΩ,1200 V,M1,D2PAK?7L
概述
EliteSiC MOSFET采用了一種全新的技術(shù),與硅相比,該技術(shù)提供了卓越的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性。此外,低導(dǎo)通電阻和緊湊的芯片尺寸確保了低電容和柵極電荷。因此,系統(tǒng)的優(yōu)點(diǎn)包括最高的效率、更快的操作頻率、增加的功率密度、減少的EMI和減小的系統(tǒng)尺寸。
特征
?類型。RDS(開(kāi)啟)=80米
?超低柵極電荷(典型QG(tot)=56 nC)
?低有效輸出電容(典型Coss=79 pF)
?100%雪崩測(cè)試
?AEC?Q101合格且具備PPAP能力
?該設(shè)備不含鹵化物,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),具有7a、Pb?Free 2LI豁免(二級(jí)互連)
典型應(yīng)用
?車載汽車充電器
?用于EV/HEV的汽車DC-DC轉(zhuǎn)換器
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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