商品名稱:GCMX010A120B3B1P
品牌:SemiQ
年份:24+
封裝:Module
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
SemiQ推出半橋封裝的高性能QSiC電源模塊,新型1200V SiC MOSFET模塊在光伏逆變器、電池充電器、儲能和高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中提供可靠、高效的運行。
器件:GCMX010A120B3B1P
類型:SiC半橋模塊
產(chǎn)品屬性
技術(shù):碳化硅(SiC)
配置:2 個 N 通道(半橋)
FET 功能:碳化硅(SiC)
漏源電壓(Vdss):1200V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):173A(Tc)
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):14 毫歐 @ 100A,20V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4V @ 40mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):483nC @ 20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):13800pF @ 800V
功率 - 最大值:577W(Tc)
工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
等級:-
資質(zhì):-
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:模塊
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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