STB45N60DM2AG 汽車級N溝道600 V、功率MOSFET是MDMESH DM2快速恢復(fù)二極管系列的一部分。它具有極低的恢復(fù)電荷(Qrr)和恢復(fù)時間(trr)以及低RDS(on),適用于要求最苛刻的高效率轉(zhuǎn)換器,是橋式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和ZVS相移轉(zhuǎn)換器的理想選擇。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):600 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):34A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):90 毫歐 @ 17A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):56 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±25V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):2500 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):250W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等級:汽車級
資質(zhì):AEC-Q101
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:TO-263(D2PAK)
封裝/外殼:TO-263-3,D2PAK(2 引線 + 凸片),TO-263AB
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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