商品名稱:N-通道功率MOSFET
品牌:ST
年份:23+
封裝:H2PAK-2
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:3000 件
STH13N120K5-2AG N通道功率MOSFET采用MDmesh K5技術(shù),該技術(shù)基于創(chuàng)新的專用垂直結(jié)構(gòu)。因此,對(duì)于需要出色功率密度和高效率的應(yīng)用,可大幅降低導(dǎo)通電阻并實(shí)現(xiàn)超低柵極電荷。該器件符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)并具有齊納保護(hù)功能。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):1200 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):12A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):690 毫歐 @ 6A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):44.2 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±30V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):1370 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):250W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:H2PAK-2
封裝/外殼:TO-263-3,D2PAK(2 引線 + 凸片),TO-263AB
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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LIS2DH12TR
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