商品名稱:STD65N160M9
品牌:ST
年份:23+
封裝:DPAK
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
STD65N160M9 N溝道功率MOSFET基于創(chuàng)新超結(jié)MDmesh M9技術(shù),該技術(shù)適用于單位面積導(dǎo)通電阻RDS(on)非常低的中/高電壓MOSFET。基于硅的M9技術(shù)采用多漏制造工藝,增強(qiáng)了器件結(jié)構(gòu)。在所有硅基快速開關(guān)超結(jié)功率MOSFET中,運(yùn)用此工藝制造的產(chǎn)品具有較低的導(dǎo)通電阻并降低了柵極電荷值,特別適合需要超高功率密度和出色效率的應(yīng)用。
規(guī)格
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):650 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):17A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):160 毫歐 @ 10A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):4.2V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):32 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±30V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):1239 pF @ 400 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):106W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:DPAK
封裝/外殼:TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國(guó)Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營(yíng)收95.6億美元; 毛利率38.7%;營(yíng)業(yè)…
LIS2DH12TR
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