商品名稱:IMZA120R014M1H
數(shù)據(jù)手冊:IMZA120R014M1H.pdf
品牌:INFINEON
年份:21+
封裝:TO-247-4
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:240 件
IMZA120R014M1H 采用TO247-4封裝的1200V 14mΩ CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先進的溝槽工藝,該工藝經(jīng)過優(yōu)化兼具性能與可靠性。與IGBT和MOSFET等傳統(tǒng)的硅(Si)基器件相比,SiC MOSFET具有諸多優(yōu)勢,例如1200 V開關(guān)器件中最低的柵極電荷和器件電容、體二極管沒有反向恢復(fù)損耗、關(guān)斷損耗受溫度影響小以及沒有拐點電壓的導(dǎo)通特性。因此,CoolSiC?碳化硅 MOSFET非常適用于硬開關(guān)和諧振開關(guān)拓撲結(jié)構(gòu),如功率因素校正(PFC)電路、雙向拓撲以及DC-DC轉(zhuǎn)換器或DC-AC逆變器。
英飛凌推出的、采用TO247-4封裝的SiC MOSFET 可降低柵極電路上的源極寄生電感效應(yīng),從而實現(xiàn)更快的開關(guān)速度和更高的效率。
特征描述
出類拔萃的開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗
高閾值電壓,Vth > 4 V
0V關(guān)斷柵極電壓,實現(xiàn)簡單的柵極驅(qū)動
寬柵源電壓范圍
堅固的低損耗體二極管,適用于硬開關(guān)
關(guān)斷損耗受溫度影響小
.XT擴散焊技術(shù),可實現(xiàn)一流的熱性能
應(yīng)用領(lǐng)域
不間斷電源(UPS)
電池化成
電動汽車快速充電
電機控制和驅(qū)動
太陽能系統(tǒng)解決方案
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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