商品名稱:RMLV3216AGSD-5S2
數(shù)據(jù)手冊:RMLV3216AGSD-5S2.pdf
品牌:Renesas
年份:23+
封裝:52-TFSOP
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
RMLV3216AGSD-5S2是采用瑞薩高性能先進 LPSRAM 技術(shù)制造的 32-Mbit 靜態(tài) RAM,其組織結(jié)構(gòu)為 2,097,152 字 × 16 位。RMLV3216A 系列實現(xiàn)了更高密度、更高性能和更低功耗。RMLV3216A 系列具有低待機功耗,因此適用于備用電池系統(tǒng)。它采用 48 引腳 TSOP (I)、52 引腳 ?TSOP (II) 或 48 球精細間距球柵陣列。
特性
單路 3V 電源: 2.7V 至 3.6V
存取時間:55ns(最大值)
電流消耗: 待機:0.6μA(典型值)
通用數(shù)據(jù)輸入和輸出 三態(tài)輸出
直接兼容 TTL 所有輸入和輸出
備用電池操作
RMLV3216AGSD-5S2規(guī)格
存儲器類型: 易失
存儲器格式: SRAM
技術(shù):SRAM
存儲容量: 32Mb
存儲器組織: 4M x 8,2M x 16
存儲器接口:并聯(lián)
寫周期時間 - 字,頁: 55ns
訪問時間: 55 ns
電壓 - 供電: 2.7V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 85°C(TA)
安裝類型: 表面貼裝型
封裝/外殼: 52-TFSOP(0.350",8.89mm 寬)
供應(yīng)商器件封裝:52-TSOP II
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
100-TQFP
2000
ИМС 18-Мбит синхронной памяти SRAM с проточным управлением
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R5F111MFAFB
R5F111MFAFB一款 16位微控制器(MCU),屬于 RL78/L1x 系列,主要面向低功耗、高集成度的嵌入式應(yīng)用,如 工業(yè)控制、消費電子、醫(yī)療設(shè)備及汽車電子等領(lǐng)域。RBA300N10EHPF-5UA02
RBA300N10EHPF-5UA02 采用超緊湊無引線設(shè)計,可提高散熱性能和可靠性。Wettable Flank 解決方案提高了可靠性并簡化了裝配。RBA300N10EHPF-5UA02 的新型分裂柵技術(shù)適用于要求低 RDS(on) 和開關(guān)能力的大功率、高頻率應(yīng)用。RBA300N10EHPF-5UA02 的特性標準電平柵極驅(qū)動電壓:…RBA300N10EANS-3UA02
RBA300N10EANS-3UA02 采用超緊湊無引線設(shè)計,可提高散熱性能和可靠性。Wettable Flank 解決方案提高了可靠性并簡化了裝配。RBA300N10EANS-3UA02 的新型分裂柵技術(shù)適用于要求低 RDS(on) 和開關(guān)能力的大功率、高頻率應(yīng)用。RBA300N10EANS-3UA02 的特性標準電平柵極驅(qū)動電壓:…QS3VH253QG8
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ICL7660SIBAZT 在 1.5V 至 12V 的輸入范圍內(nèi)進行正負電源電壓轉(zhuǎn)換,從而產(chǎn)生 -1.5V 至 -12V 的互補輸出電壓。電話咨詢:86-755-83294757
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