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最新資訊深圳市明佳達(dá)電子有限公司提供英飛凌IGBT 晶體管 IGD03N120S7 1200 V、3 A IGBT7 S7，采用 TO-252-3 引腳封裝IGD03N120S7描述：硬開(kāi)關(guān) 1200 V、3 A 單路 TRENCHSTOP? IGBT7 S7 分立器件，采用 TO-252 封裝，具有低 VCEsat，可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)極低的傳導(dǎo)損耗。IGD03N120…
深圳市明佳達(dá)電子有限公司提供英飛凌IGBT 晶體管 IGD03N120S7 1200 V、3 A IGBT7 S7，采用 TO-252-3 引腳封裝
IGD03N120S7描述：
硬開(kāi)關(guān) 1200 V、3 A 單路 TRENCHSTOP? IGBT7 S7 分立器件，采用 TO-252 封裝，具有低 VCEsat，可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)極低的傳導(dǎo)損耗。
IGD03N120S7特征：
VCE = 1200 V
IC = 3 A
Tvj = 150°C 時(shí)的低 VCEsat = 2 V
短路穩(wěn)固性 8 μs
寬范圍 dv/dt 可控性
IGD03N120S7潛在應(yīng)用：
?工業(yè)驅(qū)動(dòng)器
參數(shù)： IGD03N120S7
Eoff ： 0.27 mJ
Eon： 0.29 mJ
集成電路（100° 時(shí)）最大值： 6 A
集成電路（25° 時(shí)）最大值： 10 A
ICpuls 最大值： 9 A
最大功率： 45 W
封裝： PG-TO252-3
QGate： 24 nC
開(kāi)關(guān)頻率 最小值 最大值： 2 kHz 20 kHz
技術(shù)： TRENCHSTOP? IGBT7
VCE（飽和）： 2 V
VCE： 最大 1200 V
VGE(th) ： 5.7 V
td（關(guān)）： 142 ns
td(on) ： 18 ns
tf： 272 ns
tr： 18 ns
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