深圳市明佳達電子有限公司原裝正品英飛凌晶體管_雙N溝道_IAUCN10S5L094D_OptiMOS? 5 汽車 MOSFET，100V，最大 9.4 mΩ，雙 SSO8 (5x6)產(chǎn)品描述IAUCN10S5L094D是OptiMOS? 5 100V 汽車雙 MOSFET 采用可靠的雙 SSO8 5x6mm2 SMD 封裝。 它在一個封裝中集成了兩個獨立的 MOS…
深圳市明佳達電子有限公司原裝正品英飛凌晶體管_雙N溝道_IAUCN10S5L094D_OptiMOS? 5 汽車 MOSFET，100V，最大 9.4 mΩ，雙 SSO8 (5x6)
產(chǎn)品描述
IAUCN10S5L094D是OptiMOS? 5 100V 汽車雙 MOSFET 采用可靠的雙 SSO8 5x6mm2 SMD 封裝。 它在一個封裝中集成了兩個獨立的 MOSFET，從而節(jié)省了 PCB 面積。 它專為要求苛刻的汽車應用所需的高性能、高質(zhì)量和堅固性而設計。
產(chǎn)品應用
48V 系統(tǒng)
48V 電機控制（EPS、制動、懸掛、HVAC、eTurbo）
48V 加熱（催化劑/eCAT、PTC 加熱器、擋風玻璃除冰）和其他 48V 輔助負載
48V 電動轉(zhuǎn)向 (EPS)
48V 泵和風扇
LED 前部照明
汽油多孔噴射
柴油直噴
車廂內(nèi)無線充電
汽車電池管理系統(tǒng)
汽油直噴
產(chǎn)品屬性
技術(shù)： MOSFET（金屬氧化物）
配置： 2 個 N 溝道
漏源電壓（Vdss）： 100V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： 66A（Tj）
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）： 9.4 毫歐 @ 30A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 2.2V @ 35μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 30nC @ 10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 2180pF @ 50V
功率 - 最大值： 96W（Tc）
工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ）
等級： 汽車級
資質(zhì)： AEC-Q101
安裝類型： 表面貼裝型
封裝/外殼： 8-PowerTDFN
供應商器件封裝： PG-TDSON-8-60
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