B1621PM2FDGUK-U是一款面向嵌入式應用的 16Gb 200 ball LPDDR4 3733MHz DRAM。產品：B1621PM2FDGUK-U類型：SDRAM - LPDDR4存儲容量：16 Gbit數據總線寬度：64 bit最大時鐘頻率：1.6 GHz封裝 / 箱體：FBGA-200應用：智慧型手機與平板電腦手持式裝置筆記型電腦和超薄筆電穿…
B1621PM2FDGUK-U是一款面向嵌入式應用的 16Gb 200 ball LPDDR4 3733MHz DRAM。
類型：SDRAM - LPDDR4
存儲容量：16 Gbit
數據總線寬度：64 bit
最大時鐘頻率：1.6 GHz
封裝 / 箱體：FBGA-200
應用：
智慧型手機與平板電腦
手持式裝置
筆記型電腦和超薄筆電
穿戴式裝置
汽車
虛擬實境 (VR) 和擴增實境 (AR)
數位相機和攝錄影機
網路設備
工業(yè)和嵌入式系統(tǒng)
說明：
Kingston 的離散式低功率雙倍數據傳輸率 4 (LPDDR4) 動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM) 旨在滿足嵌入式應用的需求，并提供具有較低功耗的高速選項。LPDDR4 是專為智慧型手機、平板電腦、筆記型電腦等行動裝置的低功耗而設計的 DRAM。LPDDR4 以更高的頻率運作，可實現更快的數據存取、更佳的多工處理能力，同時消耗更少的電量，這對于延長可攜式裝置的電池續(xù)航力至關重要。此存儲器技術融合了晶片上終端 (ODT)、深度省電模式、更有效率的訊號介面等功能，可在不影響效能的情況下減少能源消耗，使其成為現代行動運算平臺的理想選擇。
主要特性：
? 雙數據速率架構：每個時鐘周期兩次數據傳輸
? 高速數據傳輸由 8 位預取流水線架構
? 雙向差分數據選通（DQS 和 /DQS）隨數據傳輸/接收，用于在接收器處收集數據
? DQS 針對 READ 與數據邊沿對齊；針對 WRITE 與數據中部對齊
? 差分時鐘輸入（CK_t 和 CK_c）
? DLL 將 DQ 和 DQS 轉換與 CK 轉換對齊
? 數據脫敏 (DM) 在數據選通的上升沿和下降沿寫入數據
? 支持寫入周期冗余代碼 (CRC)
? 支持用于讀取和寫入的可編程前置碼
? 可編程突發(fā)長度 4/8，含 nibble sequential 和 interleave 模式
? 突發(fā)長度動態(tài)切換
? MRS 選擇的驅動長度
? 支持動態(tài)片內終結
? 兩個終止狀態(tài)，例如可由 ODT 引腳切換的 RTT_PARK 和 RTT_NOM
? 支持異步 RESET 引腳
? 支持 ZQ 校準
? 支持寫入均衡化
? 此產品符合 RoHS 指令要求
? 內部 Vref DQ 電平生成可用
? 支持 TCAR（溫控自動刷新）模式
? 支持 LP ASR（低功耗自動自刷新）模式
? 支持命令地址 (CA) 奇偶校驗（命令/地址）模式
? 單 DRAM 尋址 (PDA)
? 支持精細粒度刷新
? 支持 Geardown 模式（1/2 速率、1/4 速率）
? 支持自刷新中止
? 支持最大節(jié)能模式
? 應用了列分組，相同或不同列組存取中列的 CAS 至 CAS 延遲（tCCD_L、tCCD_S）可用
? 針對數據脫敏和 DBIdc 功能的 DMI 引腳支持
? 低功耗
? 每存儲體刷新
? 完全符合 JEDEC 低功耗雙數據速率 4 (LPDDR4) 規(guī)范
? 局部自刷新 (PASR)
o 存儲體脫敏
o 內置溫度傳感器的
內置溫度傳感器的
o 自動溫度補償的自刷新 (ATCSR)
o 支持所有存儲體自動刷新和定向每存儲體自動刷新
? 雙數據速率架構；每一個時鐘周期兩次數據傳輸
? 差分時鐘輸入（CK_t 和 CK_c）雙向差分數據選通 (DQS_tandDQS_c) 在上升和下降 CK_t 沿輸入的命令；引用 DQS_t 的兩個邊沿的數據和數據脫敏
? 針對數據脫敏和 DBIdc 功能的 DMI 引腳支
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