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半導(dǎo)體制造商ROHM近日宣布，推出一款適用于600V級(jí)高耐壓GaN HEMT驅(qū)動(dòng)的隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器IC“BM6GD11BFJ-LB”。通過(guò)與本產(chǎn)品組合使用，可使GaN器件在高頻、高速開(kāi)關(guān)過(guò)程中實(shí)現(xiàn)更穩(wěn)定的驅(qū)動(dòng)，有助于電機(jī)和服務(wù)器電源等大電流應(yīng)用進(jìn)一步縮減體積并提高效率。

新產(chǎn)品是ROHM首款面向高耐壓GaN HEMT的隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器IC。在電壓反復(fù)急劇升降的開(kāi)關(guān)工作中，使用本產(chǎn)品可將器件與控制電路隔離，從而確保信號(hào)的安全傳輸。

新產(chǎn)品通過(guò)采用ROHM自主開(kāi)發(fā)的片上隔離技術(shù)，有效降低寄生電容，實(shí)現(xiàn)高達(dá)2MHz的高頻驅(qū)動(dòng)。通過(guò)充分發(fā)揮GaN器件的高速開(kāi)關(guān)特性，不僅有助于應(yīng)用產(chǎn)品更加節(jié)能和實(shí)現(xiàn)更高性能，還可通過(guò)助力外圍元器件的小型化來(lái)削減安裝面積。

另外，隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器IC的抗擾度指標(biāo)——共模瞬態(tài)抗擾度（CMTI）達(dá)到150V/ns（納秒），是以往產(chǎn)品的1.5倍，可有效防止GaN HEMT開(kāi)關(guān)時(shí)令人困擾的高轉(zhuǎn)換速率引發(fā)的誤動(dòng)作，從而有助于系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的控制。最小脈沖寬度較以往產(chǎn)品縮減33%，導(dǎo)通時(shí)間縮短至僅65ns。因此，雖然頻率更高卻仍可確保最小占空比，從而可將損耗控制在更低程度。

GaN器件的柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍為4.5V～6.0V，絕緣耐壓為2500Vrms，新產(chǎn)品可充分激發(fā)出各種高耐壓GaN器件（包括ROHM EcoGaN?系列產(chǎn)品陣容中新增的650V耐壓GaN HEMT“GNP2070TD-Z”）的性能潛力。輸出端的消耗電流僅0.5mA（最大值），達(dá)到業(yè)界超低功耗水平，另外還可有效降低待機(jī)功耗。

新產(chǎn)品已于2025年3月開(kāi)始量產(chǎn)（樣品價(jià)格：600日元/個(gè)，不含稅）。另外，新產(chǎn)品也已開(kāi)始網(wǎng)售，通過(guò)電商平臺(tái)均可購(gòu)買(mǎi)。

＜開(kāi)發(fā)背景＞

在全球能源消耗逐年攀升的背景下，節(jié)能對(duì)策已成為世界各國(guó)共同面臨的課題。尤其值得注意的是，據(jù)調(diào)查“電機(jī)”和“電源”消耗的電量約占全球總用電量的97%。改善“電機(jī)”和“電源”效率的關(guān)鍵在于采用碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等新材料制造的、負(fù)責(zé)功率控制和轉(zhuǎn)換的新一代功率器件。

ROHM充分發(fā)揮其在硅半導(dǎo)體和SiC隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器IC開(kāi)發(fā)過(guò)程中積累的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，成功開(kāi)發(fā)出第一波產(chǎn)品——專(zhuān)為GaN器件驅(qū)動(dòng)而優(yōu)化的隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器IC。未來(lái)，ROHM將配套提供GaN器件驅(qū)動(dòng)用的柵極驅(qū)動(dòng)器IC與GaN器件，為應(yīng)用產(chǎn)品的設(shè)計(jì)提供更多便利。

＜應(yīng)用示例＞

◇工業(yè)設(shè)備：光伏逆變器、ESS（儲(chǔ)能系統(tǒng)）、通信基站、服務(wù)器、工業(yè)電機(jī)等的電源

◇消費(fèi)電子：白色家電、AC適配器（USB充電器）、電腦、電視、冰箱、空調(diào)

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